SF3E (3GAE) 공정
세계 최초로 GAA 를 양산 적용했다고 발표한 세대. 초기 물량은 제한적이었다.
사양
회사가 공표한 값만 적습니다. 비어 있는 칸은 확인되지 않았다는 뜻입니다.
| 파운드리 | 삼성 파운드리 |
|---|---|
| 마케팅 세대 | 3nm 급 |
| 트랜지스터 구조 | GAA(MBCFET) |
| 노광 방식 | EUV 0.33NA |
| 후면전력공급 | 미적용 |
| 트랜지스터 밀도 | — |
| 리스크 생산 | — |
| 양산 시점 | 2022년 6월 |
| 상태 | 양산 |
밀도(MTr/mm²)가 비어 있는 이유. 회사마다 세는 기준이 달라 공표하지 않는 경우가 많고, 업계에 도는 값은 대개 추정치입니다. 추정치를 채우면 표가 비교표처럼 보이지만 실제로는 비교가 되지 않습니다 — 그래서 비워 둡니다.