공정 노드

파운드리 공정 로드맵

노드 이름의 숫자는 물리 치수가 아니라 마케팅 세대명입니다. 회사가 다르면 같은 숫자라도 밀도·성능이 같지 않습니다. 그래서 구조와 시점을 함께 놓습니다.

22개 노드 · 4개 파운드리수기 정리 · 각 행에 원문 링크

추적 노드22개

양산 중16개회사 발표 기준

GAA 구조11개핀펫 이후 구조

후면전력공급4개후면전력공급 적용

"2nm" 는 2나노미터가 아닙니다. 평면 미세화가 한계에 부딪힌 뒤로 노드 이름은 세대 구분용 상표에 가까워졌습니다. 비교하려면 트랜지스터 구조(FinFET/GAA), 노광 방식, 후면전력 적용 여부를 함께 봐야 합니다 — 공정 노드 · GAA · 후면전력공급

로드맵 트랙

왼쪽이 오래된 세대, 오른쪽이 최신 세대입니다.

채움 양산점선 개발·발표취소선 취소·축소

전체22 TSMC8 삼성 파운드리7 Intel Foundry6 라피더스1

전체 노드 상세

양산 시점은 회사 발표 기준입니다. '계획'이라고 적힌 것은 그대로 믿지 않는 편이 낫습니다.

노드	파운드리	트랜지스터	노광	후면전력	밀도	상태	양산 시점
N77nm 급	TSMC	FinFET	DUV(이머전)	미적용	—	양산	2018년
N55nm 급	TSMC	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2020년
N4 / N4P4nm 급	TSMC	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2022년
N3E3nm 급	TSMC	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2023년 하반기
N33nm 급	TSMC	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2022년 말
N22nm 급	TSMC	GAA(나노시트)	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2025년 하반기
A161.6nm 급	TSMC	GAA(나노시트)	EUV 0.33NA	적용	—	개발	2026년 하반기(계획)
A141.4nm 급	TSMC	GAA(나노시트)	—	—	—	발표	2028년(계획)
7LPP7nm 급	삼성 파운드리	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2019년
5LPE5nm 급	삼성 파운드리	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2020년
4LPE / 4LPP4nm 급	삼성 파운드리	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2021년
SF3 (3GAP)3nm 급	삼성 파운드리	GAA(MBCFET)	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2024년
SF3E (3GAE)3nm 급	삼성 파운드리	GAA(MBCFET)	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2022년 6월
SF22nm 급	삼성 파운드리	GAA(MBCFET)	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2025년
SF1.41.4nm 급	삼성 파운드리	GAA(MBCFET)	—	—	—	발표	2027년(계획)
Intel 77nm 급	Intel Foundry	FinFET	DUV(이머전)	미적용	—	양산	2021년
Intel 44nm 급	Intel Foundry	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2023년
Intel 33nm 급	Intel Foundry	FinFET	EUV 0.33NA	미적용	—	양산	2024년
Intel 20A2nm 급	Intel Foundry	GAA(RibbonFET)	EUV 0.33NA	적용	—	취소·축소	2024-09-01
Intel 18A1.8nm 급	Intel Foundry	GAA(RibbonFET)	EUV 0.33NA	적용	—	양산	2025년
Intel 14A1.4nm 급	Intel Foundry	GAA(RibbonFET)	High-NA EUV	적용	—	개발	2027년(계획)
2nm2nm 급	라피더스	GAA(나노시트)	EUV 0.33NA	—	—	개발	2027년(계획)

밀도(MTr/mm²)가 대부분 비어 있는 이유. 회사마다 세는 기준이 달라 공표하지 않는 경우가 많고, 업계에 도는 값은 대개 추정치입니다. 추정치를 채우면 표가 비교표처럼 보이지만 실제로는 비교가 되지 않습니다 — 그래서 비워 둡니다.