"광연결"

타워세미컨덕터, 일본에 40억달러 투자해 광연결 허브 구축

타워세미컨덕터와 일본 정부가 총 40억달러를 공동 투자해 일본 내 팹을 광연결 반도체 생산 거점으로 전환한다. 1단계(트랙 원)는 니가타현 아라이의 유휴 200mm 팹6을 300mm 실리콘포토닉스·광패키징 시설로 전환하고, 도야마현 우오즈의 300mm 팹7에서 SiGe EIC·SiPho PIC 생산을 확대하며 2027년 4분기 완전 가동을 목표로 한다. 2단계(트랙 투)는 팹7 옆에 신규 300mm 팹을 건설하는 것으로 2029년부터 실적에 본격 기여할 전망이다. 이를 통해 일본 내 생산능력을 2029년까지 300mm 웨이퍼 기준 월 4만5000장 규모로 늘리고 약 200명을 신규 고용할 계획이며, 투자금은 타워가 30억달러, 일본 경제산업성이 10억달러를 부담한다. 이와 함께 타워는 파나소닉과 설립했던 TPSCo 합작 구조를 해체해 팹7 소유권을 온전히 확보하고, 누보톤은 TPSCo와 팹5(도나미)를 갖는 재편을 진행 중이다.