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"루빈 울트라"
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메모리(DRAM·NAND·HBM)
쿨스, 루빈 울트라용 패키지 휨 억제 접합기술 개발 — 후공정 수율 관건
반도체 패키징 기업 쿨스가 초대형 AI 반도체 패키지의 휨을 억제하는 접합 기술을 개발했다고 16일 밝혔다. 고강성 리드로 패키지 휨을 억제하고, 자체 개발한 서멀클러치로 가열·냉각 시간을 단축하는 방식이다. 회사는 이 기술이 엔비디아 차세대 AI 가속기 '루빈 울트라'와 같은 초대면적 패키지에서 발생하는 접합 불량을 막을 수 있다고 설명했다. 해당 기술은 칩과 인터포저 등의 접합을 마친 뒤 패키징 마지막 단계에 적용된다.
HBM 4-hi 스택 확산, 엔비디아 루빈 울트라 용량 축소로 이어져
SemiAnalysis는 차세대 AI 가속기에서 HBM 스택 높이가 12-hi에서 8-hi로, 나아가 4-hi로 낮아지는 흐름을 분석했다. 엔비디아는 루빈 울트라의 HBM 용량을 기존 루빈·블랙웰 울트라의 288GB에서 192GB로 낮췄는데, HBM 웨이퍼 공급 부족과 비용 부담이 배경이라고 설명했다. HBM 큐브 한 개가 제공하는 대역폭은 스택 높이와 무관하게 동일해, 스택을 낮춰도 대역폭 손실 없이 용량당 비용만 줄일 수 있다는 것이다. 매체는 추론 디코드처럼 대역폭이 중요한 워크로드에서는 용량보다 대역폭당 비용이 낮은 4-hi 구성이 유리하다고 분석했다.