패키징·후공정TSV 구리 미세구조가 실리콘 잔류응력 좌우 — 퍼듀·UCLA 공동연구
미국 퍼듀대와 UCLA 연구진이 구리(Cu) 미세구조가 실리콘관통전극(TSV)으로 유발되는 실리콘 내 잔류응력에 미치는 영향을 실험으로 규명한 논문을 발표했다. 연구진은 지름 3㎛ TSV 어레이를 400°C에서 60분간 어닐링한 뒤, 상온에서 라만 분광법으로 주변 실리콘의 잔류응력을 이미징했다. 또한 전자후방산란회절(EBSD)로 구리 표면 미세구조를 분석해 미세구조에 따른 유효 탄성계수를 도출했다. 해당 결과는 학술지 Advanced Electronic Materials에 2026년 9월 게재됐다.
Semiconductor Engineering영문 원문