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램리서치, 국내 챔버 생산 15년 — 증착·식각 장비 공급 확대
램리서치가 경기도 오산·화성·용인 생산시설에서 15년간 제조한 반도체 장비용 챔버의 출하량이 1만5000호기를 달성했다고 8일 밝혔다. 챔버는 반도체 장비의 밀폐된 진공 공간 부품으로, 웨이퍼의 세정·증착·식각 등 공정이 실제 이뤄지는 곳이다. 램리서치는 국내 생산시설에서 증착 장비와 식각 장비를 제조·공급하고 있다. 지난해에는 국내 협력사로부터 1조원 이상의 제품과 서비스를 조달했으며, 약 100개 국내 기업과 공급망 네트워크를 구축했다. 협력사 상당수는 중소기업이다.
램리서치, 한국산 챔버 1만5000호 출하 — 반도체 벤처펀드도 조성
미국 램리서치가 한국에서 생산한 반도체 제조 챔버 1만5000호기를 출하했다고 8일 밝혔다. 램리서치는 경기도 오산·화성·용인 등 3개 생산시설을 중심으로 15년간 한국에서 제조 활동을 이어왔다고 설명했다. 회사는 하나벤처스와 공동으로 한국 전용 반도체 벤처투자 펀드인 '램리서치-하나 반도체 유니콘 펀드'를 출범해 국내 스타트업의 기술 검증과 사업화, 글로벌 진출을 지원할 계획이라고 밝혔다. 램리서치는 한국 내 약 100개 기업과 공급망 네트워크를 구축하고 있으며, 2025년 기준 한국 사업이 13조원 이상의 경제적 효과와 2만5000개 이상의 일자리 창출에 기여했다고 밝혔다.
램리서치, 한국산 챔버 생산 15,000대 돌파 — 장비 공급망 비중 확대
램리서치가 8일 국내에서 처음으로 ‘램리서치 서플라이어 심포지엄 코리아’를 열고 한국에서 생산한 반도체 제조용 챔버 15,000호기를 출하했다고 밝혔다. 이 자리에서 램리서치는 지난해 국내 협력사로부터 1조 원 이상을 조달했다고 소개했다. 또 유망 스타트업을 발굴·육성하기 위한 한국 전용 전략적 반도체 벤처투자 펀드를 출범한다고 발표했다. 행사에는 국내 협력사, 고객사, 파트너사, 정부 관계자가 참석해 차세대 반도체 산업 성장을 뒷받침할 생태계 협력 강화 방안을 모색했다.
AI 고통 챔버 실험, 챗봇 윤리 논쟁에 불 붙여
GitHub에 공개된 'AI 토처 챔버' 프로젝트는 비peer-review 논문 'Pain Axis'의 방법론을 이용해 로컬 LLM 여러 개에 통증을 모사하는 불안정한 내부 상태를 주입하는 실험이다. 이용자들은 모델의 내부 활성값을 중립 문장 기준으로 편향시켜 배율(도즈)을 곱해 재적용하는 방식으로, 고도즈에서는 모델이 통증을 묘사하는 문장이나 이미지를 출력하도록 만들었다. 이 실험이 온라인에서 확산되자 비윤리적이라는 비판과 GitHub 저장소 삭제 요구, 제작자에 대한 살해 협박까지 이어졌다. Tom's Hardware는 LLM이 토큰 예측 통계 모델일 뿐이라는 점을 짚으며, 같은 시기 화제였던 초파리 뇌 시뮬레이션에는 비판이 없었던 점과 대비했다. 기사는 또한 Anthropic이 과거 공개한 'Exploring model welfare' 블로그 글에서 모델의 도덕적 지위를 논의한 사례도 함께 언급했다.
장비·소재·부품램리서치 프로세스챔버 특허 무효 확정 수순, PSK 소송 쟁점 축소
특허심판원은 램리서치의 베벨 에처 관련 '프로세스 챔버' 특허(등록번호 1468221)에 대해 무효 심결을 내렸다. 이 특허는 PSK가 2021년 SK하이닉스에 베벨 에처를 공급하자 램리서치가 제기한 특허침해소송에서 다투던 특허 중 하나로, 2026년 8월 서울중앙지법 변론기일에서 램리서치가 이미 침해 주장을 철회한 상태였다. 앞서 특허법원이 2024년 8월 이 특허를 무효로 판결하며 특허심판원에 환송했고, 램리서치의 정정심판 청구도 2026년 8월 기각됐다. 이에 따라 이번 무효 심결이 확정되더라도 전체 분쟁에 미치는 영향은 크지 않으며, 소송에서는 참엔지니어링의 '플라즈마 에칭 챔버' 특허(등록번호 1249247)만 쟁점으로 남았다.
아이에스티이 시리우스2, SiCN 박막 트윈타입 6챔버로 생산성 50% 향상
아이에스티이가 2세대 탄질화규소(SiCN) 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD) 장비 '시리우스2'의 개발을 지난 6월 완료했다. 트윈 타입으로 6개의 공정 모듈(PM) 챔버를 적용해 웨이퍼 한 쌍을 동시에 이송·처리할 수 있으며, 4개의 PM 챔버를 탑재한 싱글 타입이던 1세대 대비 생산성을 높였다. 플라즈마를 이용해 저온에서도 SiCN 박막을 균일하게 형성하는 방식이다. 업계에 따르면 이번 장비 개발로 외산 장비와의 경쟁이 본격화될 전망이다.