"하이NA EUV"

삼성전자·ASML 포토마스크 협력 — 2028년 D램용 하이NA EUV 적용

삼성전자가 ASML과 손잡고 차세대 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다. 삼성전자는 ASML이 주도하는 대형 마스크 컨소시엄에 참여해 6인치 마스크의 스티칭 공정 한계를 해소하고 하이 NA EUV 성능을 극대화할 계획이다. 양사는 2028년까지 첨단 D램 양산라인에 업계 최초로 하이 NA EUV 장비를 적용하기 위한 협력을 가속화하기로 했다. 하이 NA EUV는 렌즈 개구수를 기존 0.33에서 0.55로 높여 초미세회로를 단일 노광으로 구현하는 장비다. ASML 크리스토프 푸케 CEO와 삼성전자 전영현 부회장은 AI 시대에 맞춰 반도체 제조 혁신을 위한 협력을 강화하겠다고 밝혔다.