"3D 적층"
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삼성전자 zHBM, 가속기 위 메모리 3D 적층으로 응답속도 개선
삼성전자가 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 'AI 인프라 서밋'에서 AI 가속기 위에 메모리를 3차원으로 적층하는 'zHBM' 비전을 제시했다. 김인동 삼성전자 미주총괄법인(DSA) 메모리 상품기획 담당 상무는 16일(현지시간) 발표를 통해 이 기술로 AI 시스템의 응답 속도를 10배로 끌어올리겠다는 목표를 밝혔다. 김 상무는 현재 대화형 AI 시스템의 상황을 언급하며 발표를 이어갔다.
삼성전자 큐브 전략, HBM5·zNAND-O 수직 적층 로드맵
삼성전자가 메모리와 연산장치를 수직으로 쌓아 동일 면적에서 용량을 늘리고 데이터 이동 거리를 줄이는 3D 적층 전략을 공개했다. HBM5에 이어 zHBM, zNAND-O를 독자 개발한다는 계획이다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 9월 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋 기조연설에서 '큐브(CUBE)' 전략을 발표했다. 이 전략은 용량(Capacity), 최적화(Utilization), 대역폭(Bandwidth) 등을 축으로 한다.
삼성전자 CUBE 전략 발표, HBM 이어 zNAND-O 로드맵 공개
삼성전자 최장석 상무가 세미콘 타이완 2026 기조연설에서 수직 적층 메모리 기술 비전인 'CUBE' 전략을 발표했다. 용량, 최적화, 대역폭, 전력·열 효율 향상을 통해 PCB 면적 제약 없이 메모리 용량을 늘리고 다이 간 거리 단축으로 대역폭을 개선하겠다는 구상이다. 삼성전자는 HBM2부터 HBM4E, HBM5까지 세대별 기술을 고도화해왔으며, zHBM과 zNAND-O 등 신규 제품 개발도 진행 중이라고 밝혔다. zNAND-O는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.