메모리(DRAM·NAND·HBM)3D D램에 로직 파운드리 공정 결합, SK하이닉스 패키징 난제 부각
SK하이닉스는 9일 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 차세대 3D D램 개발에 파운드리 공정을 활용하는 방향을 제시했다고 밝혔다. 김경훈·손호영 부사장은 D램 주변회로에 로직 파운드리 공정을 적용하고 데이터 버스 대역폭을 극대화하며 초단거리 전송을 구현하는 것을 주요 기술 방향으로 꼽았다. 이들은 3D D램 구현을 위해 설계·발열 문제와 함께 미세 인터커넥트, 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제도 함께 풀어야 한다고 설명했다. 신창환 고려대 교수는 3D D램을 메모리와 로직의 경계를 허무는 기술로 규정하며 소재·소자·패키징·아키텍처를 AI로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다.
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