"4H-SiC"

4H-SiC 알루미늄 도핑, MD 시뮬레이션으로 활성화 규명

TU 빈과 실바코 유럽 연구진이 DFT 장벽에 맞춘 알루미늄 포텐셜을 적용한 분자동역학(MD) 연구 논문을 발표했다. 연구진은 4H-SiC에 알루미늄을 이온주입할 때 주입 온도에 따라 도펀트 활성화가 비단조적으로 나타나는 현상의 원자 단위 원인을 규명하고자 했다. 500K와 900K 두 가지 주입 온도, 1×10^13에서 7.5×10^14 cm^-2에 이르는 7가지 도즈 조건에서 결함 형성과 진화, 초기 어닐링 중 도펀트 활성화 과정을 분석했다. 연구 결과는 저널 오브 머티리얼즈 케미스트리 C에 2026년 7월 게재됐다.