메모리(DRAM·NAND·HBM)삼성전자, D0a D램에 B1b 하이브리드 본딩 도입 — HBM5 적용도 검토
삼성전자가 차세대 D램 로드맵을 수정해 웨이퍼투웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩 기술인 'B1b'를 첫 10나노 미만 D램 'D0a'로 편입했다. 기존 D0a로 불리던 수직트랜지스터(VCT) D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분리됐다. B1b는 메모리 셀과 페리 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 뒤 구리 배선을 직접 연결하는 방식으로, CMOS 이미지센서와 고적층 낸드에 이미 적용된 기술이다. 삼성전자는 B1b를 차세대 HBM5(8세대)에도 적용하는 방안을 검토 중이며, B1b 기반 D0a D램의 상용화는 빨라야 2년 후로 추산된다.
ZDNet Korea