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베이징대, BEOL 배선 열전도도 예측 모델 — TDTR 실측 기반
베이징대 연구진이 첨단 공정 BEOL 인터커넥트 스택의 열전도도를 예측하는 구조 기반 모델링 프레임워크를 담은 논문을 발표했다. 연구진은 시간영역 열반사율(TDTR) 측정을 통해 약 100nm 깊이 분해능으로 40여 개 이상의 층별 열전도도 실측값을 확보하고 통계 분석해, 인터커넥트 구조와 열전도도 간의 일반화된 경험적 관계를 도출했다. 또한 유효 매질 이론과 실제 레이아웃을 반영한 층내 3차원 열전도도 분포 모델도 함께 제시했다. 해당 논문은 arXiv 프리프린트로 공개됐다.
M3D 6T SRAM, 2nm 셀면적 25% 절감 — BEOL 패스게이트 적용
조지아공과대학교와 시높시스 연구진이 2nm 노드를 겨냥한 모놀리식 3D(M3D) 6T SRAM 관련 논문을 발표했다. 이 셀 구조는 후공정(BEOL) IGO 패스게이트와 전실리콘 나노시트 래치, 매립형 전원 레일, 루테늄(Ru) 배선을 결합한 것이 특징이다. 연구진은 고성능 실리콘 기준 셀 대비 면적을 25% 줄였고, 서브어레이 단위에서 쓰기 지연을 42.2% 감소시켰다고 밝혔다. 해당 논문은 2026년 8월 arXiv를 통해 공개됐다.