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DB하이텍의 파운드리 가격 인상 — 중국 매출 비중 60%대
DB하이텍이 올해 3월과 9월 두 차례에 걸쳐 파운드리 가격을 인상한 것으로 28일 알려졌다. 인상폭은 5~30% 수준이다. 특히 중국 고객사에 대한 인상폭이 20~30%로 두드러졌으며, 중국은 DB하이텍의 올해 상반기 매출 비중에서 약 60%로 1위를 차지했다. 반면 매출 비중 2위(약 12%)인 한국 고객사에 대한 인상폭은 10% 수준에 그쳤고, 일부 고객사는 가격이 동결됐다. DB하이텍은 고객사별 실적 상황에 따라 파운드리 가격을 차등 적용한 것으로 전해졌다.
DB하이텍 SiC 3세대 PDK, 11월 고객 공급 앞둬
DB하이텍이 1200볼트급 SiC 모스펫 신뢰성 검증을 완료하고 8인치 SiC 파운드리 양산 준비를 마무리하고 있다. 회사는 오는 11월 고객에게 3세대 공정설계키트(PDK)를 제공할 계획이다. 3세대 PDK는 18볼트 게이트 전압에서 비저항을 2세대의 2.5mΩ·㎠에서 2.3mΩ·㎠로 낮추는 것을 목표로 한다. 또한 갑작스러운 쇼트가 발생해도 2.5마이크로초 동안 소자가 손상되지 않고 견디도록 개선했다.
DB하이텍, SiC 파운드리 확장 — 8인치 1200V 신뢰성 검증
DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1,200V SiC MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료했다고 9일 밝혔다. 회사는 2027년 양산을 목표로 8인치 SiC 파운드리 사업을 확대할 계획이다. 이번 검증 완료를 바탕으로 고객 제품 개발 지원과 신규 고객 확보도 본격화한다. SiC는 실리콘 대비 고온·고전압 특성이 우수해 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 쓰이는 전력반도체 소재다.