"HBM 베이스다이"
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삼성전자 모뎀칩 2나노 전환, 4나노는 HBM 베이스다이로 재편
삼성전자 시스템LSI사업부가 외장형 5G 모뎀 M2800 시리즈의 제조 공정을 2나노로 결정했다. 기존 4나노로 생산하던 외장 모뎀 공정을 2나노로 전환하는 것이다. M2800은 2028년 출시될 갤럭시S28 시리즈에 탑재될 예정이며, 차세대 엑시노스 2800과 투칩 형태로 적용된다. 모뎀 공정이 2나노로 전환되면서 여유가 생기는 4나노 생산능력은 고대역폭메모리(HBM) 베이스다이 중심으로 재편되고 있다. 올해 4나노로 제조된 모뎀 M2700은 MX사업부의 테스트를 통과한 것으로 전해졌다.
NVHBM 베이스다이, 마이크론 대신 외부 파운드리 생산
마이크론이 엔비디아와 공동 설계한 커스텀 HBM 'NVHBM'에 자체 베이스다이 대신 외부 파운드리에서 생산한 베이스다이를 사용한다고 밝혔다. 스캇 디보어 마이크론 최고기술·제품책임자(CTPO)는 2026회계연도 4분기 실적발표 행사에서 NVHBM과 JEDEC 표준 HBM4E 제품군 모두 파운드리 공정의 베이스다이로 개발된다고 설명했다. 이는 마이크론 자체 베이스다이를 썼던 HBM4 공정과는 다른 방식이다. 디보어 CTPO는 외주 생산에도 불구하고 수익성은 더 좋아질 것이라고 밝혔다.
커스텀HBM 베이스다이 공급망 이원화, 삼성전자·TSMC 투트랙
삼성전자가 커스텀 HBM(cHBM)용 베이스 다이 공급에서 기존 내부 파운드리 자체 조달 방식에서 벗어나 TSMC 공정 기반 베이스 다이도 함께 활용하는 투트랙 전략을 추진 중이다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 로직 기능을 베이스 다이에 맞춤 탑재하는 방식으로, 엔비디아가 발표한 NVHBM이 대표 사례다. 삼성 HBM 코어 다이에 삼성 파운드리 또는 TSMC가 제조한 베이스 다이가 고객 요구에 따라 혼용 탑재될 수 있다. TSMC 베이스 다이 관련 설계·최적화는 삼성전자 메모리 사업부가 담당하며, 채택 여부와 비중은 최종 고객 수요에 따라 달라질 예정이다.