메모리(DRAM·NAND·HBM)ETH·NYU, HBM2 전력소모 특성화 — 리드 동작이 전력 소비 최대
ETH 취리히와 뉴욕대 연구팀이 실제 HBM2 D램 칩을 대상으로 전력 소비를 실험적으로 분석한 논문을 발표했다. 연구진은 13가지 새로운 발견과 6가지 핵심 결론을 제시했으며, 읍 리드 동작이 다른 어떤 동작보다 훨씬 높은 전류를 소비한다는 점을 확인했다. 또한 데이터 전송 버스트에서 뱅크 그룹 버스 신호를 모두 토글할 경우 신호를 고정했을 때보다 전력 소비가 29.4% 높아진다는 사실을 밝혔다. 이 같은 특성을 바탕으로 설계한 접근 패턴은 36개 테스트 HBM2 칩에서 JEDEC 규격의 최고 전력 측정 루프보다 평균 23.6% 높은 전력 소비를 유발했다.
Semiconductor Engineering영문 원문