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DB하이텍, SiC 파운드리 확장 — 8인치 1200V 신뢰성 검증
DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1,200V SiC MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료했다고 9일 밝혔다. 회사는 2027년 양산을 목표로 8인치 SiC 파운드리 사업을 확대할 계획이다. 이번 검증 완료를 바탕으로 고객 제품 개발 지원과 신규 고객 확보도 본격화한다. SiC는 실리콘 대비 고온·고전압 특성이 우수해 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 쓰이는 전력반도체 소재다.
24V 전원 경로 설계, 엣지 AI 카메라·추론박스까지 관건
EE Times는 다수의 산업용 기기가 24V DC 전원을 사용한다고 전했다. 이러한 전원은 제어반, 통신 장비, 산업용 카메라와 현장 추론 박스 등 엣지 AI 하드웨어에 쓰인다고 밝혔다. 기사는 신뢰성 있는 전원 경로 설계를 위해 MOSFET, 다이오드, TVS 소자, 커패시터를 통합하는 방식을 다룬다.