"RF GaN"

웨이비스, L-SAM용 S대역 RF GaN 칩 국산화 착수

웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더 송신부에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩의 국산화 개발을 본격화했다고 밝혔다. 7월 일반부품 국산화 개발협약을 체결했고 8월 국방기술진흥연구소와 착수회의를 열어 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체화했다. 웨이비스는 국내 생산시설을 기반으로 칩 설계·제조부터 내부정합형 트랜지스터(IMFET), 고출력증폭보드 제작까지 수행하며 칩 특성평가, IMFET 검증, 보드 최적화, 체계 연계시험 순으로 검증을 진행할 계획이다. 개발 완료 후에는 L-SAM 유지·보수 수요에 우선 대응하고, 국산화 인증·규격화를 거쳐 국내외 유사 레이더·유도무기체계로 적용을 확대할 방침이다.