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메모리(DRAM·NAND·HBM)
TSV 구리 미세구조가 실리콘 잔류응력 좌우 — 퍼듀·UCLA 공동연구
미국 퍼듀대와 UCLA 연구진이 구리(Cu) 미세구조가 실리콘관통전극(TSV)으로 유발되는 실리콘 내 잔류응력에 미치는 영향을 실험으로 규명한 논문을 발표했다. 연구진은 지름 3㎛ TSV 어레이를 400°C에서 60분간 어닐링한 뒤, 상온에서 라만 분광법으로 주변 실리콘의 잔류응력을 이미징했다. 또한 전자후방산란회절(EBSD)로 구리 표면 미세구조를 분석해 미세구조에 따른 유효 탄성계수를 도출했다. 해당 결과는 학술지 Advanced Electronic Materials에 2026년 9월 게재됐다.
HBM 적층 늘수록 TSV·박막화 수율 문제 누적
D램 업체들이 HBM 대역폭을 높이기 위해 적층 수를 늘리고 있지만, 다이 박막화에 따른 휨과 취급 난이도 증가, TSV가 차지하는 면적으로 인한 용량 제약 등 문제가 누적되고 있다. Objective Analysis의 짐 핸디는 Hot Chips 2026 기조연설에서 AI 수요 폭증, HBM의 높은 웨이퍼 소모, 생산능력 부족을 D램 공급난의 원인으로 꼽았다. 삼성전자와 마이크론 관계자들은 다이 간 TSV와 베이스다이의 PHY I/O가 대역폭 확장의 주요 병목이라고 설명했다. 업계 관계자들에 따르면 이런 문제들은 HBM 스택의 수율 저하로 이어져 D램 전체 공급에 영향을 미치고 있다.