파운드리·공정WSe2 단일층 트랜지스터, 접촉저항 낮춰 CMOS 확장 가능성
화중과기대, 홍콩이공대, UC산타바바라, 싱가포르국립대 공동 연구팀이 산소 도핑된 WSe2 단일층 기반 p형 트랜지스터에 관한 논문을 Nature Communications에 발표했다. 연구팀은 금속 증착 시 발생하는 금속유도갭상태(MIGS)와 불충분한 도핑으로 인한 높은 접촉저항 문제를 산소 p도핑으로 해결, 탄도(ballistic) 수송 특성을 가진 고성능 p형 트랜지스터를 구현했다고 밝혔다. 이는 실리콘을 넘어서는 2D 반도체를 서브 1나노 수준 CMOS 공정에 적용하기 위한 연구로 제시됐다.
Semiconductor Engineering영문 원문