"p-GaN HEMT"

p-GaN HEMT, TCAD로 RDS(on)·항복 예측 — ML 설계탐색 결합

노멀리오프 p-GaN HEMT의 동적 RDS(on), 누설전류, 항복 특성을 예측하는 TCAD 시뮬레이션 워크플로가 소개됐다. 100V p-GaN HEMT 기준 구조를 바탕으로 공정 기반 소자 정의, 메싱, Victory Device 물리모델 보정, 믹스드모드 스위칭 시뮬레이션을 결합한 방식이다. 실험계획법(DOE)과 Victory Analytics 대체모델링을 활용해 머신러닝 기반 설계 탐색도 지원한다. 트랩, 분극, Mg 확산, 전계 분포 등이 GaN 전력소자 성능과 신뢰성에 미치는 영향을 반복 가능한 방식으로 분석하는 것이 목표라고 설명했다.