3D 낸드

셀을 수직으로 쌓아 올린 낸드 구조. 평면 미세화의 한계를 층수로 우회한 방식이라 깊게 파는 식각이 관건이 된다.

평면(2D) 낸드는 셀 크기를 계속 줄이는 방식으로 용량을 늘려왔지만, 셀 사이 간격이 좁아질수록 인접 셀 간 전하 간섭과 데이터 보존 문제가 심해져 더 이상 미세화만으로는 버틸 수 없는 지점에 도달했다. 3D 낸드는 셀을 옆으로 좁히는 대신 위로 쌓아, 채널 홀을 뚫고 그 벽면에 전하 저장층을 형성하는 방식으로 셀 하나의 크기를 오히려 여유 있게 키우면서도 총 용량을 늘린다. 이 때문에 미세 패터닝보다 워드라인을 관통하는 수직 채널 홀을 일정한 지름으로 곧게, 그리고 아래까지 끊기지 않게 뚫는 고종횡비 식각과 층간 정렬이 공정의 핵심 난제가 된다. 실무에서는 낸드 플래시 웨이퍼의 불량 분석이나 신규 공정 검증 보고서에서 채널 홀 프로파일, 워드라인 층수, 스트링 적층 구조를 다룰 때 이 용어를 마주치게 되며, SSD나 임베디드 스토리지의 사양서에서도 셀 구조를 설명할 때 등장한다. 흔한 오해는 층수가 많을수록 무조건 우수한 제품이라고 생각하는 것인데, 실제로는 층간 정렬 오차나 채널 홀의 기울어짐 같은 결함이 늘어날수록 수율과 신뢰성이 오히려 나빠질 수 있어 층수는 여러 성능 지표 중 하나로만 봐야 한다.