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메모리 · 입문

DRAM

DRAM

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전원을 끄면 내용이 사라지는 주기억장치용 메모리. 축전기에 전하를 담아 두므로 주기적으로 다시 채워 줘야 한다.

CPU가 연산에 쓸 데이터를 임시로 담아 둘 공간이 필요한데, DRAM은 트랜지스터 하나와 축전기 하나(1T1C)만으로 셀을 구성해 같은 면적에 훨씬 많은 데이터를 담을 수 있도록 만든 메모리다. 축전기에 전하가 있으면 1, 없으면 0으로 값을 저장하는데, 축전기는 누설전류 때문에 시간이 지나면 전하가 빠져나가므로 메모리 컨트롤러가 일정 주기마다 모든 셀의 값을 읽어 다시 써 주는 리프레시 동작을 반복해야 하며, 값을 읽는 동작 자체도 축전기의 전하를 소모시키므로 읽은 뒤 곧바로 재기록해야 한다. 현장에서는 PC나 서버의 메모리 슬롯에 꽂는 모듈, 그래픽카드에 탑재되는 고대역폭 메모리, 모바일 기기의 패키지 내장 메모리 등 이름은 달라도 모두 이 DRAM 셀 구조를 기반으로 한다. 흔히 혼동하는 것이 캐시 메모리로 쓰이는 SRAM인데, SRAM은 트랜지스터 여러 개로 값을 유지해 리프레시가 필요 없고 속도가 빠른 대신 셀 하나가 차지하는 면적이 커서 대용량화에는 불리하며, DRAM은 그 반대로 밀도는 높지만 리프레시 부담과 상대적으로 느린 접근 속도를 감수해야 한다.

메모리 분야의 다른 용어

용어집 전체

3D 낸드중급해설

3D NAND

셀을 수직으로 쌓아 올린 낸드 구조. 평면 미세화의 한계를 층수로 우회한 방식이라 깊게 파는 식각이 관건이 된다.

DDR입문해설

Double Data Rate

클록의 오르내림 양쪽에서 데이터를 실어 보내는 DRAM 규격 계열. 세대가 올라갈수록 속도와 전압 규격이 함께 바뀐다.

GDDR중급해설

Graphics DDR

그래픽 카드용으로 대역폭을 끌어올린 DRAM 규격. HBM 보다 싸고 만들기 쉬워 여전히 널리 쓰인다.

HBM중급해설

High Bandwidth Memory

DRAM 다이를 여러 장 쌓고 넓은 통로로 연결한 메모리. AI 가속기의 대역폭 병목을 푸는 부품이라 수요가 가속기 판매에 직결된다.

LPDDR입문해설

Low Power DDR

저전력에 맞춰 규격을 다시 짠 모바일용 DRAM. 최근에는 서버·AI 기기에서도 쓰인다.

NAND 플래시입문해설

NAND Flash

전원을 꺼도 내용이 남는 저장용 메모리. 셀을 수직으로 쌓아 단수를 올리는 방식으로 용량을 늘린다.

SSD입문해설

Solid State Drive

낸드 플래시로 만든 저장장치. 컨트롤러와 펌웨어의 몫이 커서 같은 낸드로도 성능 차이가 난다.

eTT고급해설

effective Tested Test die

완제품 검사를 거치지 않은 상태로 거래되는 메모리 다이. 같은 용량이라도 검사품과 가격 차이가 크다.

리프레시중급해설

Refresh

DRAM 이 전하를 잃기 전에 다시 채워 넣는 동작. 용량이 커질수록 이 동작이 쓰는 전력과 시간이 부담이 된다.