eTT
effective Tested Test die

완제품 검사를 거치지 않은 상태로 거래되는 메모리 다이. 같은 용량이라도 검사품과 가격 차이가 크다.
정상 유통 경로의 메모리는 패키징 이후 완제품 단계에서 성능과 신뢰성을 보증하는 최종 검사를 거치지만, 웨이퍼 생산 및 조립 공정에서 나온 물량 중 일부는 이 최종 검사 이전 단계에서 시장으로 흘러나가며, 이를 정규품과 구분해 거래하기 위한 등급 표기가 eTT다. 이런 다이는 웨이퍼 상태에서의 기초 전기적 검사는 통과했지만, 패키징 후 진행하는 파이널 테스트나 신뢰성 검증은 생략되거나 축소된 채 넘어오기 때문에 개별 칩의 실제 품질을 구매자가 다시 확인해야 하는 책임을 안게 된다. 현장에서는 주로 스팟 마켓에서 모듈 조립업체나 중소 유통업체가 원가를 낮추려고 물량을 확보할 때, 또는 공급 과잉 국면에서 초과 생산분이 정규 채널을 거치지 않고 풀릴 때 이 등급의 다이를 접하게 된다. 이런 물량에는 제조사의 정품 보증서나 완제품 수준의 품질 인증이 따라붙지 않으므로, 유통 단계에서 별도 재고로 분리 표기하는 것이 관례다. eTT를 곧바로 불량품으로 오해하는 경우가 많지만 실제로는 정상 동작하는 칩이 상당수 섞여 있으며, 차이는 성능 여부가 아니라 검증 절차와 그에 따른 신뢰성 보증의 유무에 있다. 이 때문에 서버나 자동차용처럼 장기 신뢰성이 핵심인 응용처보다는 검사 부담을 구매자가 감수할 수 있는 저가형 소비자 제품 조립에 제한적으로 쓰인다.
메모리 분야의 다른 용어
3D 낸드중급해설
3D NAND셀을 수직으로 쌓아 올린 낸드 구조. 평면 미세화의 한계를 층수로 우회한 방식이라 깊게 파는 식각이 관건이 된다.
DDR입문해설
Double Data Rate클록의 오르내림 양쪽에서 데이터를 실어 보내는 DRAM 규격 계열. 세대가 올라갈수록 속도와 전압 규격이 함께 바뀐다.
DRAM입문해설
DRAM전원을 끄면 내용이 사라지는 주기억장치용 메모리. 축전기에 전하를 담아 두므로 주기적으로 다시 채워 줘야 한다.
GDDR중급해설
Graphics DDR그래픽 카드용으로 대역폭을 끌어올린 DRAM 규격. HBM 보다 싸고 만들기 쉬워 여전히 널리 쓰인다.
HBM중급해설
High Bandwidth MemoryDRAM 다이를 여러 장 쌓고 넓은 통로로 연결한 메모리. AI 가속기의 대역폭 병목을 푸는 부품이라 수요가 가속기 판매에 직결된다.
LPDDR입문해설
Low Power DDR저전력에 맞춰 규격을 다시 짠 모바일용 DRAM. 최근에는 서버·AI 기기에서도 쓰인다.
NAND 플래시입문해설
NAND Flash전원을 꺼도 내용이 남는 저장용 메모리. 셀을 수직으로 쌓아 단수를 올리는 방식으로 용량을 늘린다.
SSD입문해설
Solid State Drive낸드 플래시로 만든 저장장치. 컨트롤러와 펌웨어의 몫이 커서 같은 낸드로도 성능 차이가 난다.
리프레시중급해설
RefreshDRAM 이 전하를 잃기 전에 다시 채워 넣는 동작. 용량이 커질수록 이 동작이 쓰는 전력과 시간이 부담이 된다.