LPDDR
Low Power DDR

저전력에 맞춰 규격을 다시 짠 모바일용 DRAM. 최근에는 서버·AI 기기에서도 쓰인다.
일반 DDR은 데스크톱이나 서버처럼 전원이 넉넉한 환경을 전제로 설계되어, 배터리로 구동되는 기기에 그대로 쓰면 대기 시간과 사용 시간이 크게 줄어든다. LPDDR은 이 문제를 풀기 위해 신호 전압과 동작 방식을 다시 설계하고, 메모리를 쓰지 않을 때 각 뱅크를 독립적으로 절전 상태로 내려보내는 기능을 갖췄으며, 보통 기판에 직접 납땜되거나 프로세서와 한 패키지로 묶여 배선 길이와 소비 전력을 더 줄인다. 스마트폰이나 태블릿의 칩 사양표에서 메모리 종류를 확인할 때, 혹은 노트북이 온보드 메모리라 사후에 용량을 늘릴 수 없다는 안내를 볼 때 이 규격을 마주치게 된다. 저전력과 대역폭을 동시에 요구하는 서버나 온디바이스 AI 가속기에도 채택되면서, 데이터센터용 메모리 선택지로도 논의된다. 다만 LPDDR을 단순히 '저속 저가형 DDR'로 오해하기 쉬운데, 채널을 여러 개로 나눠 병렬로 동작시키는 방식으로 상당한 대역폭을 낼 수 있어 속도 자체가 낮은 것은 아니다.
메모리 분야의 다른 용어
3D 낸드중급해설
3D NAND셀을 수직으로 쌓아 올린 낸드 구조. 평면 미세화의 한계를 층수로 우회한 방식이라 깊게 파는 식각이 관건이 된다.
DDR입문해설
Double Data Rate클록의 오르내림 양쪽에서 데이터를 실어 보내는 DRAM 규격 계열. 세대가 올라갈수록 속도와 전압 규격이 함께 바뀐다.
DRAM입문해설
DRAM전원을 끄면 내용이 사라지는 주기억장치용 메모리. 축전기에 전하를 담아 두므로 주기적으로 다시 채워 줘야 한다.
GDDR중급해설
Graphics DDR그래픽 카드용으로 대역폭을 끌어올린 DRAM 규격. HBM 보다 싸고 만들기 쉬워 여전히 널리 쓰인다.
HBM중급해설
High Bandwidth MemoryDRAM 다이를 여러 장 쌓고 넓은 통로로 연결한 메모리. AI 가속기의 대역폭 병목을 푸는 부품이라 수요가 가속기 판매에 직결된다.
NAND 플래시입문해설
NAND Flash전원을 꺼도 내용이 남는 저장용 메모리. 셀을 수직으로 쌓아 단수를 올리는 방식으로 용량을 늘린다.
SSD입문해설
Solid State Drive낸드 플래시로 만든 저장장치. 컨트롤러와 펌웨어의 몫이 커서 같은 낸드로도 성능 차이가 난다.
eTT고급해설
effective Tested Test die완제품 검사를 거치지 않은 상태로 거래되는 메모리 다이. 같은 용량이라도 검사품과 가격 차이가 크다.
리프레시중급해설
RefreshDRAM 이 전하를 잃기 전에 다시 채워 넣는 동작. 용량이 커질수록 이 동작이 쓰는 전력과 시간이 부담이 된다.