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메모리 · 입문

NAND 플래시

NAND Flash

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전원을 꺼도 내용이 남는 저장용 메모리. 셀을 수직으로 쌓아 단수를 올리는 방식으로 용량을 늘린다.

낸드 플래시가 없다면 스마트폰이나 SSD는 전원을 끌 때마다 저장된 파일을 모두 잃는다. D램 같은 휘발성 메모리는 속도는 빠르지만 전원이 끊기면 데이터가 사라지므로, 사진·문서·운영체제처럼 오래 보관해야 하는 정보는 별도의 비휘발성 저장장치가 필요했고 그 자리를 낸드 플래시가 맡는다. 셀 하나하나가 전하를 가두는 작은 통 역할을 하며, 전하가 있고 없음(또는 전하량의 차이)으로 0과 1을 구분해 전원 없이도 상태를 유지한다. 초기에는 셀을 평면에 나란히 배열했지만 이후에는 셀을 위아래로 쌓아 올려 같은 바닥 면적에서 더 많은 용량을 확보하는 방식으로 발전했다. 개발자나 소비자 입장에서는 SSD, USB 메모리, 스마트폰 내장 저장공간, SD카드 등 '전원을 꺼도 파일이 남아 있는' 거의 모든 저장매체 안에서 낸드 플래시를 마주치게 된다. 흔히 하는 오해는 낸드 플래시가 무한정 다시 쓸 수 있다고 생각하는 것인데, 실제로는 셀에 쓰기와 지우기를 반복할수록 절연막이 조금씩 마모되어 수명이 줄어들기 때문에 컨트롤러가 쓰기 작업을 여러 셀에 고르게 분산시키는 관리 기법을 함께 사용한다.

메모리 분야의 다른 용어

용어집 전체

3D 낸드중급해설

3D NAND

셀을 수직으로 쌓아 올린 낸드 구조. 평면 미세화의 한계를 층수로 우회한 방식이라 깊게 파는 식각이 관건이 된다.

DDR입문해설

Double Data Rate

클록의 오르내림 양쪽에서 데이터를 실어 보내는 DRAM 규격 계열. 세대가 올라갈수록 속도와 전압 규격이 함께 바뀐다.

DRAM입문해설

DRAM

전원을 끄면 내용이 사라지는 주기억장치용 메모리. 축전기에 전하를 담아 두므로 주기적으로 다시 채워 줘야 한다.

GDDR중급해설

Graphics DDR

그래픽 카드용으로 대역폭을 끌어올린 DRAM 규격. HBM 보다 싸고 만들기 쉬워 여전히 널리 쓰인다.

HBM중급해설

High Bandwidth Memory

DRAM 다이를 여러 장 쌓고 넓은 통로로 연결한 메모리. AI 가속기의 대역폭 병목을 푸는 부품이라 수요가 가속기 판매에 직결된다.

LPDDR입문해설

Low Power DDR

저전력에 맞춰 규격을 다시 짠 모바일용 DRAM. 최근에는 서버·AI 기기에서도 쓰인다.

SSD입문해설

Solid State Drive

낸드 플래시로 만든 저장장치. 컨트롤러와 펌웨어의 몫이 커서 같은 낸드로도 성능 차이가 난다.

eTT고급해설

effective Tested Test die

완제품 검사를 거치지 않은 상태로 거래되는 메모리 다이. 같은 용량이라도 검사품과 가격 차이가 크다.

리프레시중급해설

Refresh

DRAM 이 전하를 잃기 전에 다시 채워 넣는 동작. 용량이 커질수록 이 동작이 쓰는 전력과 시간이 부담이 된다.