나노시트

얇은 판 모양 채널을 여러 장 쌓아 만든 GAA 구현. 판의 폭을 조절해 성능과 전력을 설계 단계에서 조율할 수 있다.

핀펫은 채널의 세 면만 게이트가 감싸고 바닥은 기판에 붙어 있어, 채널 폭과 핀 높이를 조금만 줄여도 누설전류와 문턱전압 흔들림이 커지는 한계에 부딪힌다. 나노시트는 이 문제를 해결하려고 채널을 기판과 분리된 얇은 판 형태로 여러 장 쌓고, 판마다 사방을 게이트로 완전히 둘러싸 정전 제어력을 극대화한다. 제작 시에는 실리콘과 실리콘저마늄 등 이종 물질을 번갈아 에피택셜로 쌓은 뒤, 희생층만 선택적으로 제거하고 그 빈 공간에 게이트 금속을 채워 넣는 '채널 릴리스' 공정이 핵심이며, 이 과정에서 판 사이 간격과 판의 폭을 셀 단위로 다르게 설계할 수 있다. 표준 셀 라이브러리를 설계하거나 GAA 전환 로드맵, 성능·전력·면적 트레이드오프를 논의하는 자리에서 자주 등장하는데, 같은 풋프린트 안에서 판 폭만 넓혀 고성능 셀과 저전력 셀을 함께 구현할 수 있다는 점이 논의의 핵심이다. 흔히 나노시트를 '더 얇아진 핀' 정도로 오해하지만, 실제 차이는 두께가 아니라 게이트가 채널을 3면이 아닌 4면 전체로 감싼다는 구조적 전환에 있다.