리프레시

DRAM 이 전하를 잃기 전에 다시 채워 넣는 동작. 용량이 커질수록 이 동작이 쓰는 전력과 시간이 부담이 된다.

DRAM 셀은 커패시터에 전하를 담아 0과 1을 표현하는데, 이 커패시터는 누설전류 때문에 시간이 지나면 전하가 빠져나가 정보가 사라진다. 그래서 컨트롤러는 모든 로우(row)를 일정 주기로 순회하며 읽었다가 다시 써넣는 리프레시 동작을 반복해서 데이터를 유지한다. 문제는 이 동작이 진행되는 동안 해당 로우가 정상적인 읽기·쓰기 요청을 처리할 수 없다는 점인데, 집적도가 올라가 셀 수가 늘어날수록 한 번에 리프레시해야 할 로우 수도 늘어나 대역폭 손실과 소비 전력이 함께 커진다. 그래서 서버용 고용량 모듈이나 모바일 저전력 D램을 설계할 때는 온도에 따라 리프레시 주기를 조절하거나 로우를 나눠 순차적으로 처리하는 방식으로 이 부담을 줄이려 한다. 실무에서는 벤치마크에서 지연이 주기적으로 튀는 현상을 분석하거나, 데이터시트의 tRFC(리프레시 사이클 시간)·tREFI(리프레시 간격) 값을 서로 다른 용량의 제품끼리 비교할 때 이 개념과 마주치는데, 이 값은 셀 하나의 특성이 아니라 전체 칩을 한 바퀴 도는 데 걸리는 시간과 주기를 함께 규정한 것이라 단순 비교하면 오해하기 쉽다.