EPFL, GaN 초접합 개발 — 실리콘 기판 전력소자 항복전압 한계 극복

스위스 EPFL 연구진이 실리콘 기판 위 질화갈륨(GaN) 전력 반도체의 성능을 높이는 '고유 편광 초접합(intrinsic polarization superjunction)' 구조를 개발했다고 발표했다. III-질화물 반도체는 넓은 밴드갭과 낮은 시트저항을 가져 효율적인 전력전자 소자에 활용되고 저비용 실리콘 기판에 단일集적이 가능하지만, 전계 집중과 표면·버퍼 트래핑이 항복전압을 제한하고 동적 성능과 신뢰성을 저하시키는 문제가 있었다. 연구팀은 이 문제를 해결하기 위한 새로운 헤테로구조 설계를 제시했다. 관련 연구는 국제 학술지 Nature Electronics에 2026년 8월 게재됐다.

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