"GaN"
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메타옵틱스, JP모건 예탁 미 ADR 상장 — 광학 반도체 자금창구 확보
싱가포르 반도체 광학 기업 메타옵틱스(Catalist: 9MT)가 2026년 9월 25일 미국 OTCQX 시장에 스폰서드 레벨1 ADR(미국예탁증서) 프로그램을 설립했다고 발표했다. 예탁은행은 J.P.모건이 맡는다. 메타옵틱스는 첨단 반도체 광학 분야 기업이라고 소개됐다.
SUNeVision, UNSDGAA 2026 지속가능 브론즈상 수상
홍콩 SUNeVision Holdings(SEHK: 1686)가 UNSDGAA 2026에서 지속가능 조직 부문 브론즈상을 수상했다고 밝혔다. 이번 수상은 4년 연속으로, 회사 측은 지속가능성에 대한 노력과 홍콩의 탄소중립 목표 기여를 인정받았다고 설명했다. SUNeVision은 Sun Hung Kai 그룹의 기술 계열사로 소개됐다.
AI Power Demands Push GaN into Data Center Design
시스템반도체·팹리스RTX 20 시리즈 출시 7주년, 레이트레이싱 도입 초기 지원작 부족
Nvidia의 튜링 아키텍처 기반 GeForce RTX 20 시리즈가 2018년 9월 20일 출시되며 실시간 레이트레이싱을 앞세운 하이브리드 그래픽 시대를 열었다. RTX 2080과 RTX 2080 Ti가 먼저 공개됐고, 보급형 RTX 2070은 같은 해 10월에 뒤따랐다. 젠슨 황 CEO는 튜링이 게이밍 그래픽의 새로운 황금기를 연다고 밝혔으나, 출시 초기에는 Battlefield V, Metro Exodus, Shadow of the Tomb Raider 등 레이트레이싱을 지원하는 게임이 많지 않았다. RTX 2080은 이전 세대 플래그십 GTX 1080 Ti를 능가했고, RTX 2080 Ti는 게임 구동 시 약 280W를 소모했다.
FutureBit, 초파리 뇌 시뮬레이션 비트코인 채굴 개념증명 공개
ASIC 채굴기 제조사 FutureBit이 구글이 공개한 초파리 뇌 커넥텀 데이터를 활용한 'HashFly'라는 개념증명을 공개했다. 초파리 눈의 광수용체를 모사해 블록 헤더를 읽고, PPL101 뉴런이 더블 SHA-256 타깃을 계산하면 반응하는 방식이다. FutureBit은 실제 유기 뉴런 전체를 활용할 경우 테라해시당 약 1와트로, 최고 수준의 실리콘 3nm ASIC보다 10배 효율적일 수 있다는 추정치를 제시했다. 다만 이는 초파리 전체 소비 전력과 모든 뉴런이 해싱에 쓰인다는 가정에 기반한 것이며, 현재 웹 데모 성능은 약 100kH/s에 그친다. FutureBit은 데이터셋 내 전체 뉴런을 SHA-256 해시 함수로 시뮬레이션하는 후속 작업을 진행 중이라고 밝혔다.
설계·EDA·IP미시간대 Fengshui, 칩렛 풀과 가속기 설계 동시 최적화
미시간대학교 연구진이 칩렛 생태계와 맞춤형 반도체(BASIC) 설계를 함께 최적화하는 공동설계 프레임워크 'Fengshui'를 제안하는 논문을 발표했다. 이 프레임워크는 칩렛 풀 구성과 애플리케이션 특화 가속기 설계를 동시에 고려해 최적화하는 방식을 다룬다. 논문은 2026년 9월 arXiv에 프리프린트로 공개됐다.
p-GaN HEMT, TCAD로 RDS(on)·항복 예측 — ML 설계탐색 결합
노멀리오프 p-GaN HEMT의 동적 RDS(on), 누설전류, 항복 특성을 예측하는 TCAD 시뮬레이션 워크플로가 소개됐다. 100V p-GaN HEMT 기준 구조를 바탕으로 공정 기반 소자 정의, 메싱, Victory Device 물리모델 보정, 믹스드모드 스위칭 시뮬레이션을 결합한 방식이다. 실험계획법(DOE)과 Victory Analytics 대체모델링을 활용해 머신러닝 기반 설계 탐색도 지원한다. 트랩, 분극, Mg 확산, 전계 분포 등이 GaN 전력소자 성능과 신뢰성에 미치는 영향을 반복 가능한 방식으로 분석하는 것이 목표라고 설명했다.
웨이비스, L-SAM용 S대역 RF GaN 칩 국산화 착수
웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더 송신부에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩의 국산화 개발을 본격화했다고 밝혔다. 7월 일반부품 국산화 개발협약을 체결했고 8월 국방기술진흥연구소와 착수회의를 열어 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체화했다. 웨이비스는 국내 생산시설을 기반으로 칩 설계·제조부터 내부정합형 트랜지스터(IMFET), 고출력증폭보드 제작까지 수행하며 칩 특성평가, IMFET 검증, 보드 최적화, 체계 연계시험 순으로 검증을 진행할 계획이다. 개발 완료 후에는 L-SAM 유지·보수 수요에 우선 대응하고, 국산화 인증·규격화를 거쳐 국내외 유사 레이더·유도무기체계로 적용을 확대할 방침이다.