κ상 인듐 셀레나이드, 4인치 웨이퍼 논리회로 구현

POSTECH 노용영 교수팀과 KAIST 권지민 교수팀이 공동으로 'κ상 인듐 셀레나이드'를 이용해 4인치 웨이퍼 규모의 논리 트랜지스터를 구현하는 데 성공했다. 연구팀은 열증착 공정으로 소재를 쌓은 뒤 250℃에서 열처리해 약 10nm 두께의 박막을 웨이퍼 전체에 균일하게 형성했으며, 576개 트랜지스터 배열에서 평균 전자 이동도 39.3cm²/VS, 온·오프 전류비 1억 배 이상을 기록했다고 밝혔다. 100ns 신호를 1000만 회 반복해도 안정적으로 작동함을 확인했으며, p형 소재를 더해 신호를 반전시키는 인버터 회로까지 구현했다. 연구결과는 국제 학술지 '네이처 커뮤니케이션즈'에 게재됐다.
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이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: ZDNet Korea 「반도체 소재 '인듐 셀레나이드' 한계 극복…대면적·논리회로 구현 성공」
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