파운드리 공정 로드맵
노드 이름의 숫자는 물리 치수가 아니라 마케팅 세대명입니다. 회사가 다르면 같은 숫자라도 밀도·성능이 같지 않습니다. 그래서 구조와 시점을 함께 놓습니다.
TSMC8노드최선단 1.4nm 급
Intel Foundry6노드최선단 1.4nm 급
삼성 파운드리7노드최선단 1.4nm 급
라피더스1노드최선단 2nm 급
"2nm" 는 2나노미터가 아닙니다. 평면 미세화가 한계에 부딪힌 뒤로 노드 이름은 세대 구분용 상표에 가까워졌습니다. 비교하려면 트랜지스터 구조(FinFET/GAA), 노광 방식, 후면전력 적용 여부를 함께 봐야 합니다 — 공정 노드 · GAA · 후면전력공급
Intel Foundry 공정 노드
양산 시점은 회사 발표 기준입니다. 계획은 자주 바뀌므로 '계획'이라고 적힌 것은 그대로 믿지 않는 편이 낫습니다.
| 노드 | 파운드리 | 트랜지스터 | 노광 | 후면전력 | 상태 | 양산 시점 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Intel 7 | Intel Foundry | FinFET | DUV(이머전) | 미적용 | 양산 | 2021년 |
| Intel 4 | Intel Foundry | FinFET | EUV 0.33NA | 미적용 | 양산 | 2023년 |
| Intel 3 | Intel Foundry | FinFET | EUV 0.33NA | 미적용 | 양산 | 2024년 |
| Intel 20A | Intel Foundry | GAA(RibbonFET) | EUV 0.33NA | 적용 | 취소·축소 | 2024-09-01 |
| Intel 18A | Intel Foundry | GAA(RibbonFET) | EUV 0.33NA | 적용 | 양산 | 2025년 |
| Intel 14A | Intel Foundry | GAA(RibbonFET) | High-NA EUV | 적용 | 개발 | 2027년(계획) |