파운드리·공정TUM 등, A7 CFET·A10 나노시트 공정 기생특성 비교
뮌헨공대(TUM), 모데나·레조에밀리아대(UNIMORE), 어플라이드머티어리얼즈 연구진이 A7 CFET와 A10 나노시트 FET(NSFET) 기술을 비교한 논문을 발표했다. 연구진은 물리 기반의 열·노화 인식 시스템-기술 공동평가(STCO) 플로우를 제시해 두 기술의 셀 기생 저항·커패시턴스(RC)를 평가했다. 이 플로우는 보정된 소자 모델, 표준셀 생성, GDS-TCAD 변환 기반 3차원 기생 RC 추출, AI 가속기의 RTL-to-GDS 구현, 멀티피직스 열 해석, 바이어스 온도 불안정성(BTI) 노화 평가를 연결한다. 연구진은 두 기술에 동일한 소자 모델을 적용해 기생 RC와 설계 단계별 영향을 분리해 분석했다고 밝혔다. 논문은 2026년 9월 arXiv에 프리프린트로 게재됐다.
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