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쓰리에이로직스 NFC칩 볼텐드, 국제 혁신상 국내 최초 수상
NFC 반도체 설계기업 쓰리에이로직스가 자사 NFC 칩 '볼텐드(VOLTEND)'로 '2026 국제 NFC 포럼 혁신상'을 수상했다고 12일 밝혔다. 국내 기업이 이 상을 받은 것은 이번이 처음이다. NFC 포럼은 애플, 구글, 소니, NXP, 인피니언 등이 이사회 회원사로 참여해 NFC 기술 표준과 기기 간 호환성을 주도하는 국제 표준화 기구다. 포르투갈 리스본에서 10월 7일(현지시간) 열린 회원사 회의에서 쓰리에이로직스를 포함한 5개 기업의 최종 수상이 발표됐다.
시스템반도체·팹리스쓰리에이로직스 볼텐드, NFC 포럼 혁신상 - 무배터리 산업안전 잠금기술
국내 NFC 팹리스 쓰리에이로직스가 국제 표준화 기구인 NFC 포럼으로부터 국내 기업 최초로 국제 NFC 혁신상을 수상했다. 수상 제품 '볼텐드'는 자체 개발한 NFC 칩 'TNB133M'을 기반으로 스마트폰의 RF 에너지만으로 작동해 별도 배터리가 필요 없는 산업안전용 잠금 솔루션이다. 산업설비 점검·유지보수 시 설비의 예기치 않은 작동을 막는 잠금·표지(LOTO) 절차에 활용되며, 접근 사용자에 대한 디지털 기록을 생성·관리할 수 있다. NFC 포럼은 비접촉식 탭 기술을 활용한 전원 확보 방식과 검증 가능한 접근 제어 기능을 수상 이유로 들었다.
삼성바이오로직스 노조, 삼성전자에 단체교섭 요구 — 사용자성 공방 예고
삼성바이오로직스 상생노조가 6일 삼성전자 대표이사에게 인사·보상제도의 공통 기준과 운영·변경에 관한 단체교섭을 요구하는 공문을 보냈다. 노조는 인사·보상제도의 실질적 결정 주체가 삼성전자라고 주장하며 직접 교섭을 요구했다. 삼성전자가 교섭에 응하지 않을 경우 노조는 노동위원회에 사용자성 판단을 구하겠다는 방침이다. 이에 따라 계열사 간 인사·보상 결정 권한을 둘러싼 갈등이 확대될지 주목된다.
KT, 앰로직과 셋톱박스 칩셋 공급 협약 — 미디어 팹리스 공급망 확보
KT는 9월 11일부터 14일까지 네덜란드 암스테르담 RAI에서 열린 IBC 2026에서 글로벌 팹리스 반도체 기업 앰로직과 미디어 단말용 핵심 칩셋의 안정적 공급체계 구축을 위한 업무협약을 체결했다. 앰로직은 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에 본사를 둔 팹리스 기업이다. KT는 앰로직과 세계 최초 8K 안드로이드 TV 셋톱박스를 개발하는 등 미디어 분야에서 협력해 왔다.
KT, 앰로직과 SoC 공급 협약 체결 — 미디어 서비스 안정성 확보
KT가 IBC 2026 전시회에서 글로벌 팹리스 기업 앰로직과 미디어 단말용 핵심 칩셋의 안정적 공급체계 구축을 위한 업무협약을 체결했다. 양사는 세계 최초 8K 안드로이드 TV 셋톱박스를 함께 개발한 이력이 있으며, 이번 협약으로 SoC 공급 안정화뿐 아니라 KT 미디어 단말에 적용될 AI 기능 고도화를 위한 기술 협력도 이어가기로 했다. KT는 이를 통해 반도체 공급망 변수에도 미디어 서비스의 안정성과 연속성을 유지한다는 구상이다. KT는 같은 전시회에서 국내 협력사 8곳과 함께 해외 판로 개척을 지원하는 상생성장관도 운영했다.
3D D램에 로직 파운드리 공정 결합, SK하이닉스 패키징 난제 부각
SK하이닉스는 9일 열린 '2026 SK하이닉스 미래포럼'에서 차세대 3D D램 개발에 파운드리 공정을 활용하는 방향을 제시했다고 밝혔다. 김경훈·손호영 부사장은 D램 주변회로에 로직 파운드리 공정을 적용하고 데이터 버스 대역폭을 극대화하며 초단거리 전송을 구현하는 것을 주요 기술 방향으로 꼽았다. 이들은 3D D램 구현을 위해 설계·발열 문제와 함께 미세 인터커넥트, 본딩, 공정 통합 등 패키징 영역 난제도 함께 풀어야 한다고 설명했다. 신창환 고려대 교수는 3D D램을 메모리와 로직의 경계를 허무는 기술로 규정하며 소재·소자·패키징·아키텍처를 AI로 연계한 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다.
하이브리드 본딩, 로직 양산 확대…HBM 적용은 지연
구리-구리 직접 접합 방식인 하이브리드 본딩이 로직 칩에서는 양산 단계에 진입했다. TSMC는 SoIC 본드 피치를 9마이크론에서 6마이크론으로 줄였고 2029년까지 4.5마이크론을 목표로 하며, 인텔은 2026년 상반기 클리어워터 포레스트 서버 CPU에 포베로스 다이렉트를 적용해 출하했다. AMD도 첫 3D V-캐시 제품부터 이 기술을 양산에 사용해왔다. 다만 JEDEC이 올해 초 HBM 스택 높이 제한을 완화하는 결정을 내리면서 HBM4는 마이크로범프 기술을 유지하게 됐고, 하이브리드 본딩은 HBM4E와 HBM5부터 적용될 예정이라고 기사는 전했다.
메모리(DRAM·NAND·HBM)삼성 HBM 로드맵, 4nm 로직 베이스다이로 컴퓨팅 결합
삼성전자는 Hot Chips 2026에서 HBM을 메모리와 컴퓨팅이 결합된 시스템으로 발전시키는 3단계 로드맵을 공개했다. 삼성 D램 설계팀의 상욱 한(Sangwook Han)은 HBM4부터 베이스다이를 4nm 로직 공정으로 제작한 것이 로드맵의 핵심 동력이라고 설명했다. 1단계 cHBM은 PHY를 소형 다이투다이(D2D) 링크로 대체하고 메모리 컨트롤러를 베이스다이로 옮겨 XPU 면적을 확보한다. 2단계 aHBM은 베이스다이에 온도·전압 센서, LPDDR·HBM 기반 메모리 확장, 연산소자(PE)를 추가한다. 3단계 zHBM은 인터포저 없이 프로세서를 D램 스택 바로 아래에 배치하는 완전 3D 구조로, 삼성은 이를 기존 HBM 구조 최적화를 넘어선 재설계라고 밝혔다.