삼성 HBM 로드맵, 4nm 로직 베이스다이로 컴퓨팅 결합

삼성전자는 Hot Chips 2026에서 HBM을 메모리와 컴퓨팅이 결합된 시스템으로 발전시키는 3단계 로드맵을 공개했다. 삼성 D램 설계팀의 상욱 한(Sangwook Han)은 HBM4부터 베이스다이를 4nm 로직 공정으로 제작한 것이 로드맵의 핵심 동력이라고 설명했다. 1단계 cHBM은 PHY를 소형 다이투다이(D2D) 링크로 대체하고 메모리 컨트롤러를 베이스다이로 옮겨 XPU 면적을 확보한다. 2단계 aHBM은 베이스다이에 온도·전압 센서, LPDDR·HBM 기반 메모리 확장, 연산소자(PE)를 추가한다. 3단계 zHBM은 인터포저 없이 프로세서를 D램 스택 바로 아래에 배치하는 완전 3D 구조로, 삼성은 이를 기존 HBM 구조 최적화를 넘어선 재설계라고 밝혔다.

이 글에 나온 것