"베이스다이"
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커스텀HBM 베이스다이 공급망 이원화, 삼성전자·TSMC 투트랙
삼성전자가 커스텀 HBM(cHBM)용 베이스 다이 공급에서 기존 내부 파운드리 자체 조달 방식에서 벗어나 TSMC 공정 기반 베이스 다이도 함께 활용하는 투트랙 전략을 추진 중이다. 커스텀 HBM은 고객사가 원하는 로직 기능을 베이스 다이에 맞춤 탑재하는 방식으로, 엔비디아가 발표한 NVHBM이 대표 사례다. 삼성 HBM 코어 다이에 삼성 파운드리 또는 TSMC가 제조한 베이스 다이가 고객 요구에 따라 혼용 탑재될 수 있다. TSMC 베이스 다이 관련 설계·최적화는 삼성전자 메모리 사업부가 담당하며, 채택 여부와 비중은 최종 고객 수요에 따라 달라질 예정이다.
삼성 파운드리, 4나노 절반 HBM4 베이스다이 — 3분기 매출 확대 발판
삼성전자 파운드리사업부가 4나노 공정 생산능력의 50% 이상을 HBM4용 베이스 다이 제조에 할당한 것으로 알려졌다. 엔비디아, 브로드컴, AMD 등에 공급할 HBM4 물량을 3분기부터 본격 확대하기 위한 조치로 풀이된다. 베이스 다이는 D램을 적층한 코어 다이 아래에서 메모리와 시스템반도체 간 데이터 전송을 지원하는 역할을 한다. 업계 관계자는 4나노 공정이 풀가동 중이며 HBM4용 베이스 다이 비중이 하반기 내내 50~60%대를 유지할 것이라고 전했다. 삼성전자는 앞서 2분기 실적발표에서 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 늘어날 것으로 전망된다고 밝힌 바 있다.
삼성 HBM 로드맵, 4nm 로직 베이스다이로 컴퓨팅 결합
삼성전자는 Hot Chips 2026에서 HBM을 메모리와 컴퓨팅이 결합된 시스템으로 발전시키는 3단계 로드맵을 공개했다. 삼성 D램 설계팀의 상욱 한(Sangwook Han)은 HBM4부터 베이스다이를 4nm 로직 공정으로 제작한 것이 로드맵의 핵심 동력이라고 설명했다. 1단계 cHBM은 PHY를 소형 다이투다이(D2D) 링크로 대체하고 메모리 컨트롤러를 베이스다이로 옮겨 XPU 면적을 확보한다. 2단계 aHBM은 베이스다이에 온도·전압 센서, LPDDR·HBM 기반 메모리 확장, 연산소자(PE)를 추가한다. 3단계 zHBM은 인터포저 없이 프로세서를 D램 스택 바로 아래에 배치하는 완전 3D 구조로, 삼성은 이를 기존 HBM 구조 최적화를 넘어선 재설계라고 밝혔다.