"웨이퍼 본딩"
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마이크론 차세대 G11 낸드, 웨이퍼 본딩으로 400단 돌파
마이크론이 2027년 하반기 양산을 목표로 차세대 3D 낸드 G11을 개발 중이라고 밝혔다. G11은 기존 G9 세대 대비 비트 밀도를 두 배로 높이고 입출력 성능을 최대 50% 향상시키며 전력 소비를 줄이는 것이 목표다. 이를 위해 YMTC가 앞서 적용한 웨이퍼-온-웨이퍼 본딩 기술을 도입해 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 별도 공정으로 제작한 뒤 결합하는 방식을 택했다. 또한 활성 워드라인 수는 공개하지 않았지만 400단 이상의 적층과 업계 최고 수준의 셀 피치를 적용할 계획이다. 마이크론은 G11 이후에도 신소재와 고밀도 셀 구조 개발을 통해 적층 수 증가와 셀 치수 축소를 병행하는 방향으로 낸드 스케일링을 이어갈 것이라고 설명했다.
마이크론, D램 4F² 구조 포기 — 웨이퍼 본딩·3D 적층 택일
마이크론 테크놀로지가 차세대 D램 미세화의 핵심으로 꼽히던 4F²(4F 스퀘어) 셀 구조 도입을 공식 포기했다고 밝혔다. 마이크론은 10월 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 기존 6F² 구조를 연장하는 대신 웨이퍼 본딩과 3차원(3D) 적층 기술로 이어지는 향후 10년간의 메모리 개발 로드맵을 공개했다. 이는 4F² 구조 도입을 추진해온 경쟁사들과는 다른 기술 경로를 택한 것이다. 전자신문이 단독 보도했다.
EVG, CPO 이종집적용 웨이퍼 본딩·NIL 공정 공개
EV그룹(EVG)이 하이퍼스케일 데이터센터, AI 인프라, HPC용 코패키지드 옵틱스(CPO) 제조를 위한 공정 솔루션을 제시했다고 2일 밝혔다. EVG는 웨이퍼 본딩, 나노임프린트 리소그래피, 박형 웨이퍼 공정 기술을 통해 광자 집적회로와 전자 집적회로의 이종 집적 과제를 지원한다. 하이브리드 본딩은 PIC와 EIC 간 고밀도 집적을, 퓨전 본딩은 III-V족 반도체 및 박막 리튬 나이오베이트 등 소재의 이종 집적을 가능하게 한다. 산화막이 없는 상온 본딩은 광 손실을 줄이고 열 전달 효율을 높이며, NIL은 광 결합 소자 제조에 활용된다. EVG는 NIL포토닉스 역량 센터와 이종 집적화 역량 센터(HICC)를 통해 고객의 공정 개발과 검증을 지원한다고 설명했다.
