마이크론 차세대 G11 낸드, 웨이퍼 본딩으로 400단 돌파

마이크론이 2027년 하반기 양산을 목표로 차세대 3D 낸드 G11을 개발 중이라고 밝혔다. G11은 기존 G9 세대 대비 비트 밀도를 두 배로 높이고 입출력 성능을 최대 50% 향상시키며 전력 소비를 줄이는 것이 목표다. 이를 위해 YMTC가 앞서 적용한 웨이퍼-온-웨이퍼 본딩 기술을 도입해 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 별도 공정으로 제작한 뒤 결합하는 방식을 택했다. 또한 활성 워드라인 수는 공개하지 않았지만 400단 이상의 적층과 업계 최고 수준의 셀 피치를 적용할 계획이다. 마이크론은 G11 이후에도 신소재와 고밀도 셀 구조 개발을 통해 적층 수 증가와 셀 치수 축소를 병행하는 방향으로 낸드 스케일링을 이어갈 것이라고 설명했다.
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이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: Tom's Hardware 「Micron's next-generation 3D NAND to double bit density with over 400 layers, offering extreme performance」
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