검색 결과
"접촉저항"
뉴스
파운드리·공정
전력·화합물반도체
WSe2 단일층 트랜지스터, 접촉저항 낮춰 CMOS 확장 가능성
화중과기대, 홍콩이공대, UC산타바바라, 싱가포르국립대 공동 연구팀이 산소 도핑된 WSe2 단일층 기반 p형 트랜지스터에 관한 논문을 Nature Communications에 발표했다. 연구팀은 금속 증착 시 발생하는 금속유도갭상태(MIGS)와 불충분한 도핑으로 인한 높은 접촉저항 문제를 산소 p도핑으로 해결, 탄도(ballistic) 수송 특성을 가진 고성능 p형 트랜지스터를 구현했다고 밝혔다. 이는 실리콘을 넘어서는 2D 반도체를 서브 1나노 수준 CMOS 공정에 적용하기 위한 연구로 제시됐다.
GaN 전력소자, 내압·접촉저항·방열 3중 개선
스위스 EPFL 연구진은 실리콘 기판 위 GaN 층으로 만든 신소자 'iPSJ'가 도핑 없이도 약 4킬로볼트까지 견디며 저항손실도 낮다고 밝혔다. 나고야대·MIT·코넬대 등 공동 연구팀은 초박막 마그네슘층 증착 후 600도 열처리로 p형 GaN 접촉저항을 낮추는 방법을 제시했다. MIT·조지아공대·펜스테이트 연구진은 GaN 트랜지스터를 다이아몬드 인터포저에 매립해 방열 성능을 높이고 무선통신용 전력증폭기를 제작했다.