GaN 전력소자, 내압·접촉저항·방열 3중 개선

스위스 EPFL 연구진은 실리콘 기판 위 GaN 층으로 만든 신소자 'iPSJ'가 도핑 없이도 약 4킬로볼트까지 견디며 저항손실도 낮다고 밝혔다. 나고야대·MIT·코넬대 등 공동 연구팀은 초박막 마그네슘층 증착 후 600도 열처리로 p형 GaN 접촉저항을 낮추는 방법을 제시했다. MIT·조지아공대·펜스테이트 연구진은 GaN 트랜지스터를 다이아몬드 인터포저에 매립해 방열 성능을 높이고 무선통신용 전력증폭기를 제작했다.
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