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"M3"

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시장·실적·공급망

콜로서스2 GB300 증설, HBM3E 수요 확대로 이어져

일론 머스크 테슬라 CEO는 X를 통해 AI 데이터센터 '콜로서스 2'에 탑재되는 엔비디아 칩 규모를 연말까지 대폭 늘리겠다고 밝혔다. 현재 GB200 11만개와 GB300 44만개가 탑재돼 있으며, 다음 주 GB300 22만개가 가동되고 11월과 12월 말까지 각각 22만개씩 추가될 예정이다. 계획대로면 하반기에만 66만개 칩이 추가된다. 콜로서스는 테네시주 멤피스에 위치한 xAI의 그록(Grok) 학습용 데이터센터로, 콜로서스 1은 H100·H200·GB200으로 구성돼 있고 머스크는 미시시피에 콜로서스 3도 구축 중이다.

ZDNet Korea
시장·실적·공급망

화웨이, M360 아세안 2026서 AI 전환 전략 발표

화웨이가 말레이시아에서 열린 GSMA M360 아세안 2026에 행사 파트너로 참여해 지능형 모바일 네트워크, 디지털 신뢰, AI 전환을 주제로 발표했다. 캘빈 자오 무선 네트워크 솔루션 MAE 제품 라인 사장은 기조연설에서 Huawei Agentic MBB와 OpenAN 등 자사 비전을 소개했다. 화웨이는 인도네시아 XLSMART와 협력한 5G SD-WAN 솔루션으로 GSMA APAC 디지털 국가 어워드 2026 혁신 우수 비디오상을 수상했다. 아울러 GSMA 인텔리전스와 함께 AI 토큰 경제에서 통신사의 역할을 다룬 연구 보고서 발간을 지원했다고 밝혔다.

ZDNet Korea↗
시스템반도체·팹리스

Asahi Linux M3 지원, GPU 가속·HDMI는 아직 미완성

오픈소스 프로젝트 Asahi Linux가 애플 M3 시리즈 SoC를 탑재한 맥에 대한 공식 지원을 발표했다. GPU 3D 가속은 아직 성능이나 전력 효율이 부족하고, DCP 미지원으로 HDMI 포트가 비활성화되며 절전 모드도 동작하지 않는다. 반면 웹캠, 내장 마이크, USB, AV1 포함 하드웨어 가속 동영상 디코딩, Wi-Fi, 블루투스는 M1·M2와 마찬가지로 대부분 정상 작동한다고 프로젝트 측은 밝혔다. M3 지원은 설치 프로그램에 병합됐지만 EXPERT=1 옵션이 필요한 전문가 모드에 한정돼 있으며, Fedora Linux 45 베타 전까지 이 제약을 없앨 계획이다. 지원 대상은 M3 Pro와 M3 Max까지이며, Mac Studio용 M3 Ultra는 아직 지원 목록에 없다.

The Register영문 원문
메모리(DRAM·NAND·HBM)

삼성전자 HBM 점유율 33% 상승, 격차 축소는 HBM3E 단계 성과

카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 전세계 HBM 시장 점유율(매출액 기준)에서 SK하이닉스가 50%로 1위를 유지했지만 전 분기 및 전년 동기 대비 하락세를 보였다. 삼성전자는 33% 점유율로 전 분기 및 전년 동기 대비 점유율이 개선되면서 SK하이닉스와의 격차가 줄었다. 카운터포인트리서치는 삼성전자의 HBM4 출하 본격화로 점유율이 늘어날 것으로 내다봤다. 마이크론은 18% 점유율로 비교적 변동폭이 작았다. 카운터포인트리서치는 현재 HBM 매출 대부분이 HBM3E에서 발생하며 HBM4 출하는 하반기부터 본격화될 것이라고 밝혔다.

ZDNet Korea
메모리(DRAM·NAND·HBM)

CXMT HBM3E 위험생산, 알리바바·캠브리콘 검증 착수

The Information 보도에 따르면 중국 창신메모리(CXMT)가 HBM3E 메모리의 위험생산을 시작했다. HBM4를 양산 중인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 3사보다 한 세대 뒤처졌지만, 상업용 DRAM을 넘어 고난도 적층·TSV·패키징 기술이 필요한 HBM 분야로 진입했다는 의미가 있다. 알리바바 T-Head, 캠브리콘 등 중국 프로세서 업체들이 CXMT의 HBM3E를 평가 중이며, 테스트와 검증이 계획대로 진행되면 내년부터 상용 제품에 적용될 수 있다고 전해졌다. HBM3E 양산이 현실화되면 중국은 첨단 AI 반도체 제작에서 해외 HBM 공급사에 대한 의존도를 낮출 수 있게 된다.

Tom's Hardware영문 원문
파운드리·공정

M3D 6T SRAM, 2nm 셀면적 25% 절감 — BEOL 패스게이트 적용

조지아공과대학교와 시높시스 연구진이 2nm 노드를 겨냥한 모놀리식 3D(M3D) 6T SRAM 관련 논문을 발표했다. 이 셀 구조는 후공정(BEOL) IGO 패스게이트와 전실리콘 나노시트 래치, 매립형 전원 레일, 루테늄(Ru) 배선을 결합한 것이 특징이다. 연구진은 고성능 실리콘 기준 셀 대비 면적을 25% 줄였고, 서브어레이 단위에서 쓰기 지연을 42.2% 감소시켰다고 밝혔다. 해당 논문은 2026년 8월 arXiv를 통해 공개됐다.

Semiconductor Engineering영문 원문