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"NAND"

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메모리(DRAM·NAND·HBM)

QLC 낸드 탑재 아이폰 18 프로맥스, 쓰기속도 저하 실측

Tom's Hardware에 따르면 빌리빌리 채널 Homolab이 1TB QLC 낸드 탑재 아이폰 18 프로맥스와 512GB TLC 낸드 탑재 아이폰 18 프로를 비교 테스트한 결과, QLC 모델의 저장장치가 지속적인 쓰기 작업에서 크게 느려지는 것으로 나타났다. SLC 캐시와 TLC 기반 보조 버퍼가 모두 소진되면 QLC 낸드에 직접 쓰기가 이뤄지는데, 이때 속도가 79.4MB/s까지 떨어지고 순간적으로 25.6MB/s까지 하락했다. 저장공간이 60% 채워지면 SLC 캐시 용량이 250GB에서 58GB로 줄고, 직접 쓰기 속도는 평균 45MB/s, 순간 최저 1.1MB/s까지 기록됐다. Homolab은 이것이 최악의 시나리오를 가정한 합성 벤치마크이며, 웹 브라우징이나 메시징, 사진 촬영 등 일상적 사용에서는 성능 저하를 체감하기 어렵다고 밝혔다.

Tom's Hardware영문 원문
메모리(DRAM·NAND·HBM)

CXMT, D램 넘어 낸드 진출 검토 — 중국 메모리 경쟁 확대

EE Times는 중국 D램 전문업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 낸드플래시 시장 진입을 준비하고 있다고 보도했다. CXMT는 그동안 D램 시장에서 존재감을 키워온 업체로, 이번 보도가 사실이라면 낸드 시장에도 새로운 경쟁자가 등장하는 셈이다. 다만 구체적인 진입 시기나 방식 등 세부 내용은 확인되지 않았다.

EE Times영문 원문
메모리(DRAM·NAND·HBM)

CXMT, 낸드플래시 진출 검토 — 베이징 2공장에 3D 낸드 R&D 라인

로이터가 소식통 3명을 인용해 중국 D램 강자 CXMT가 베이징 인근 제2공장에 3D 낸드 연구개발(R&D) 생산라인 구축을 검토 중이라고 보도했다. 제2 베이징 공장이 아직 착공 전이어서 가동까지는 최소 2~3년이 걸릴 것으로 전해졌다. 소식통에 따르면 CXMT는 베이징에 설립한 연구소에서도 낸드플래시 개발 과제를 진행 중이며, AI·슈퍼컴퓨팅용 스토리지 제품을 준비하는 신생 기업 등 잠재 고객과 낸드 사업을 논의한 것으로 알려졌다. CXMT는 이 같은 3D 낸드 계획을 공식 확인하지 않았으며, 아키텍처·적층 수·공정·생산능력 등 구체 정보는 아직 없다.

Tom's Hardware영문 원문
메모리(DRAM·NAND·HBM)

AI에 웨이퍼 뺏긴 NOR·SLC 낸드, 공급 위기 심화

AI 반도체 수요 급증으로 웨이퍼 생산능력이 고수익 제품 위주로 재배치되면서 NOR 플래시와 SLC 낸드 생산이 위협받고 있다. 모건스탠리는 NOR 플래시가 2026년까지 공급부족 상태를 유지할 것으로 전망했고, JP모건은 SLC 낸드 공급 위기가 기존 예상보다 심각할 수 있다고 경고했다. 트렌드포스 리서치매니저 브라이언 아오는 마이크론, 키옥시아, SK하이닉스 등 주요 낸드 제조사가 SLC 낸드용 웨이퍼 용량을 최신 낸드 기술 생산으로 전환하고 있다고 밝혔다. NOR 플래시와 SLC 낸드는 자동차·산업용·네트워킹 장비의 부팅 및 프로그램 코드 저장에 쓰이는 핵심 부품으로, 트렌드포스는 두 제품 모두 뚜렷한 증설 계획이 없다고 설명했다.

Tom's Hardware영문 원문↗
메모리(DRAM·NAND·HBM)

삼성전자 큐브 전략, HBM5·zNAND-O 수직 적층 로드맵

삼성전자가 메모리와 연산장치를 수직으로 쌓아 동일 면적에서 용량을 늘리고 데이터 이동 거리를 줄이는 3D 적층 전략을 공개했다. HBM5에 이어 zHBM, zNAND-O를 독자 개발한다는 계획이다. 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 9월 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋 기조연설에서 '큐브(CUBE)' 전략을 발표했다. 이 전략은 용량(Capacity), 최적화(Utilization), 대역폭(Bandwidth) 등을 축으로 한다.

디일렉 반도체
메모리(DRAM·NAND·HBM)

삼성전자 CUBE 전략 발표, HBM 이어 zNAND-O 로드맵 공개

삼성전자 최장석 상무가 세미콘 타이완 2026 기조연설에서 수직 적층 메모리 기술 비전인 'CUBE' 전략을 발표했다. 용량, 최적화, 대역폭, 전력·열 효율 향상을 통해 PCB 면적 제약 없이 메모리 용량을 늘리고 다이 간 거리 단축으로 대역폭을 개선하겠다는 구상이다. 삼성전자는 HBM2부터 HBM4E, HBM5까지 세대별 기술을 고도화해왔으며, zHBM과 zNAND-O 등 신규 제품 개발도 진행 중이라고 밝혔다. zNAND-O는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.

ZDNet Korea
메모리(DRAM·NAND·HBM)

YMTC, 2027년 낸드 1위 목표 — 삼성·SK하이닉스 추월 IPO 승부수

중국 YMTC가 IPO 준비 과정에서 2027년 말까지 삼성전자와 SK하이닉스를 제치고 세계 최대 낸드플래시 생산업체가 되겠다는 목표를 투자자들에게 밝혔다고 파이낸셜타임스가 보도했다. YMTC는 상하이증권거래소 스타마켓에 상장을 신청했으며, 조달 자금 대부분을 생산라인 업그레이드와 연구개발에 투입할 계획이다. 카운터포인트리서치에 따르면 YMTC의 올해 2분기 세계 낸드 출하량 점유율은 키오시아와 비슷한 수준으로, 삼성전자와 SK하이닉스·솔리다임 합산치에 이어 업계 3위권이다. YMTC는 5세대 낸드에서 엑스태킹 구조로 두 개 데크를 결합한 294단 제품을 생산 중이며, 미국 상무부 수출통제 명단 등재 이후에도 자국산 장비로 생산라인을 구축해왔다. 이번 상장은 앞서 상하이증시에서 상장 첫날 주가가 크게 오른 창신메모리(CXMT) 사례를 뒤따르는 것이라고 보도는 전했다.

Tom's Hardware영문 원문