파운드리·공정SEMulator3D로 GAA 채널 응력편차 분석, 최상단 두께가 핵심
Lam Research 엔지니어들이 SEMulator3D 가상 공정 모델링 도구를 이용해 게이트올어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터의 적층 채널 간 응력 불균일 문제를 분석했다. 채널은 소스·드레인의 에피택셜 성장 물질과 실리콘 간 격자 불일치로 응력을 받으며, 채널마다 응력 편차가 크면 캐리어 이동도와 문턱전압, 누설전류가 불균일해질 수 있다. 설계 실험(DOE)에서 채널 두께와 핀 폭을 변화시킨 결과 nFET의 응력 편차가 pFET보다 컸고, 최상단 채널(Channel 3)의 두께가 응력 균일성에 가장 큰 영향을 미쳤다. 최상단 채널을 4nm에서 7nm로 다소 두껍게 설계하면 채널 간 응력 편차가 줄어드는 것으로 확인됐다.
Semiconductor Engineering영문 원문