"SiC·GaN"
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울프스피드, 美서 15억달러 대출 약정 — SiC·GaN 생산 확대
미국 반도체 기업 울프스피드가 국방부 전략자본실(OSC)로부터 30년 만기 15억달러 규모의 조건부 대출 약정서를 받았다. 울프스피드는 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN) 소재·소자를 전문으로 하며, 이 자금을 GaN 에피택시 공정 역량 강화와 SiC 및 차세대 GaN 제품의 내방사선 기술 개발에 사용할 계획이다. 회사는 통신 인프라와 전자전 시스템 등 국방부 관련 미국 국가안보 응용 분야에 집중하겠다고 밝혔다. 대출 조건에 따라 울프스피드는 국방부에 완전희석 기준 지분 최대 7.5%를 매입할 수 있는 워런트를 지급해야 하며, 실사 완료와 정부 승인, 기존 대출기관 동의 등을 거쳐야 하는 조건부 사안이다.
전력·화합물반도체SiC·GaN 화합물반도체, AI데이터센터 전력손실 해법으로 부상
한국전력소자산업협회가 7일 부산에서 연 전력반도체 지산학 K-포럼에서 AI 데이터센터 확산에 따른 전력 사용량 증가가 논의됐다. 데이터센터가 전력을 효율적으로 공급하기 위해 고전압 전력망을 도입하면서 탄화규소(SiC)·질화갈륨(GaN) 등 화합물 전력반도체의 역할이 부각되고 있다는 내용이다. 기존 실리콘(Si) 전력반도체는 전력 손실을 줄이는 데 한계가 있다는 점이 지적됐다. ETRI 배성범 실장은 AI 산업 발전으로 전 세계적으로 전력 부족 현상이 나타나고 있다고 말했다.
가트너 전망, 데이터센터 액체냉각 확산에 SiC·GaN 전력반도체 부상
가트너는 29일 발표한 보고서에서 AI 확산에 따라 2030년까지 신규 데이터센터의 90%가 액체냉각을 도입할 것이라고 전망했다. 랙당 전력 밀도가 120킬로와트를 넘어서는 사례가 늘면서 800볼트 직류 배전 방식이 확산되고, 실리콘카바이드·질화갈륨 기반 전력반도체가 기존 실리콘을 대체할 것으로 예상했다. 랙당 전력 소비가 1메가와트를 넘어서면 액침냉각이 필요해지고 기존 수직형 랙 구조도 달라질 수 있다고 분석했다. 장기적으로는 양자컴퓨팅이 AI·고성능컴퓨팅과 결합한 하이브리드 아키텍처로 발전할 가능성이 있어, 극저온 설비 등 다양한 기술을 함께 수용할 수 있는 유연한 데이터센터 설계가 필요하다고 가트너는 제언했다.