ALD

원자층 단위로 막을 한 겹씩 쌓는 증착. 두께를 정밀하게 통제할 수 있어 GAA 구조에서 비중이 커졌다.

CVD 방식으로는 3차원 구조의 좁은 홈이나 깊은 구멍 내부까지 균일한 두께로 막을 덮기 어렵다는 한계에서 출발한 기술이다. 전구체 가스를 흘려 표면에 한 층만 흡착시키고 남은 가스를 씻어낸 뒤 반응 가스를 넣어 흡착층과 화학반응을 일으켜 막을 완성하는 과정을 반복하는 자기제한적(self-limiting) 반응이 핵심이다. 한 사이클마다 표면 전체에 고르게 한 겹씩만 쌓이므로, 종횡비가 큰 트렌치나 GAA 구조의 나노시트 사이 틈처럼 접근하기 어려운 부위를 감싸는 게이트 절연막이나 배리어막 공정에서 주로 마주치게 된다. 사이클 횟수만으로 두께를 조절할 수 있어 레시피 설계 시 두께 재현성을 맞추기가 다른 증착법보다 수월하다는 장점도 있다. 다만 한 사이클에 걸리는 시간이 길어 증착 속도가 느리기 때문에, 두꺼운 막 전체를 ALD로 쌓기보다는 두께 제어가 결정적인 얇은 계면층에만 선택적으로 적용하고 나머지는 CVD 같은 다른 증착법과 조합하는 경우가 흔하다.