현장에서 마주치는 말
정의에 수치를 넣지 않았습니다. 수치는 낡고, 낡은 수치는 정의를 통째로 틀리게 만듭니다. 최신 값이 필요하면 가격표와 공정 노드 표로 보냅니다.
공정
ALD 중급
Atomic Layer Deposition
원자층 단위로 막을 한 겹씩 쌓는 증착. 두께를 정밀하게 통제할 수 있어 GAA 구조에서 비중이 커졌다.
CMP 중급
Chemical Mechanical Polishing
화학과 연마를 함께 써서 표면을 평탄하게 만드는 단계. 층을 쌓아 올리려면 매번 바닥이 평평해야 한다.
DUV 중급
Deep Ultraviolet Lithography
EUV 이전 세대의 노광. 이머전(물에 담가 해상도를 높인) 방식과 멀티패터닝을 조합해 아직도 대부분의 층을 찍는다.
EUV 중급
Extreme Ultraviolet Lithography
극자외선을 쓰는 노광 방식. 파장이 짧아 미세 패턴을 한 번에 그릴 수 있지만 장비를 만드는 곳이 사실상 한 곳뿐이라 공급이 곧 지정학이 된다.
High-NA EUV 고급본문
High-NA EUV
렌즈의 개구수를 키운 차세대 EUV. 해상도를 더 올리는 대신 한 번에 찍는 면적이 줄어 설계·수율 양쪽에 새 제약을 만든다.
결함밀도 고급본문
Defect Density
단위 면적당 치명 결함의 수. 다이 크기와 함께 수율을 결정하는 값이라 새 노드의 성숙도를 가늠하는 지표로 쓰인다.
공정 노드 입문
Process Node
공정 세대를 부르는 이름. 지금의 "2nm" 같은 표기는 물리 치수가 아니라 마케팅 명칭이라 회사 간 직접 비교가 되지 않는다.
노광 입문
Photolithography
빛으로 회로 패턴을 웨이퍼에 새기는 단계. 이 단계의 해상도가 곧 공정 미세화의 한계를 정한다.
다이 입문
Die
웨이퍼 위에서 잘라낸 칩 하나. 다이가 클수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 개수가 줄고 결함에 걸릴 확률이 커진다.
마스크 중급
Photomask
노광에 쓰는 회로 패턴 원판. 층마다 필요해서 노드가 미세해질수록 마스크 세트 비용이 급격히 오른다.
멀티패터닝 고급본문
Multi-patterning
한 층을 여러 번 나눠 찍어 더 촘촘한 패턴을 만드는 기법. 공정 단계가 늘어 원가와 변동이 함께 커진다.
수율 입문
Yield
만든 것 중 쓸 수 있는 것의 비율. 공정 기술의 성패를 가르는 실질 지표이고, 새 노드의 원가는 사실상 수율이 결정한다.
식각 입문
Etching
노광으로 그린 패턴을 따라 깎아내는 단계. 3D NAND 처럼 깊게 파는 구조에서는 이 단계가 난이도의 중심이 된다.
오버레이 고급본문
Overlay
층과 층 사이의 정렬 오차. 미세화가 진행될수록 이 오차의 허용치가 줄어 계측 장비의 중요도가 올라간다.
웨이퍼 입문
Wafer
반도체를 만드는 원판. 실리콘 잉곳을 얇게 잘라 거울처럼 다듬은 것으로, 이 한 장 위에 수백~수천 개의 칩이 함께 만들어진다.
전공정 입문
FEOL / Front-end
웨이퍼 위에 트랜지스터와 배선을 만드는 단계. 노광·식각·증착·평탄화를 수백 번 반복한다.
증착 입문
Deposition
웨이퍼 위에 얇은 막을 입히는 단계. CVD·PVD·ALD 로 나뉘고, 미세화가 진행될수록 ALD 비중이 커진다.
트랜지스터 밀도 중급
Transistor Density
면적당 트랜지스터 수(MTr/mm²). 노드 이름보다 실질에 가깝지만 회사마다 세는 기준이 달라 그대로 비교하기는 어렵다.
팹 입문
Fab
웨이퍼를 가공하는 공장. 청정도·진동·전력·초순수 요구가 극단적이라 부지 선정부터 제약이 크다.
포토레지스트 중급
Photoresist
빛에 반응해 녹거나 굳는 감광액. 노광의 해상도를 실제로 구현하는 소재라 소수 업체가 공급을 쥐고 있다.