후공정
Back-end / Assembly

완성된 웨이퍼를 자르고 포장하고 검사하는 단계. HBM 과 첨단 패키징이 뜨면서 위상이 크게 올라갔다.
웨이퍼 위에 완성된 칩은 그 상태로는 기판에 붙일 수도 외부와 신호를 주고받을 수도 없어서, 개별 칩으로 나누고 전극을 연결하며 습기와 충격으로부터 보호하는 별도 단계가 필요하다. 실제로는 웨이퍼를 절단해 낱개 다이로 분리한 뒤 기판이나 다른 다이 위에 접합하고, 와이어본딩이나 범프로 전기적 연결을 만들고, 수지로 감싸 보호한 다음 전기적 특성을 검사해 정상 동작하는 제품만 골라내는 순서로 진행된다. 현장에서는 로직 다이와 메모리 다이처럼 서로 다른 곳에서 만든 칩을 하나의 패키지로 쌓아 올릴 때, 그리고 불량이 나왔을 때 원인이 웨이퍼 자체 결함인지 조립 과정의 문제인지 구분해야 할 때 이 용어를 자주 듣게 된다. 흔히 포장 정도의 부수적 공정으로 오해하지만, 다이를 어떤 순서로 쌓고 어떻게 연결하느냐에 따라 완제품의 성능과 발열, 수명이 달라지므로 설계의 연장선으로 보는 것이 정확하다.
패키징 분야의 다른 용어
CoWoS고급해설
Chip on Wafer on Substrate인터포저 위에 로직과 HBM 을 나란히 얹는 첨단 패키징 방식. AI 가속기 공급의 실제 병목으로 자주 지목된다.
FC-BGA중급해설
Flip Chip Ball Grid Array다이를 뒤집어 붙이고 아래쪽 볼로 기판과 잇는 패키지 방식. 고성능 칩용 기판 공급이 병목이 되는 구간이다.
TSV중급해설
Through-Silicon Via실리콘을 관통해 위아래 다이를 잇는 수직 배선. HBM 적층의 기본 기술이다.
인터포저고급해설
Interposer다이들을 촘촘히 잇기 위해 그 아래 까는 중간 기판. 실리콘으로 만들면 배선 밀도를 크게 올릴 수 있다.
패키지 기판중급해설
Package Substrate패키지 안에서 다이와 메인보드를 잇는 기판. 층수와 미세 배선 난이도가 높아 증설에 시간이 걸린다.
패키징입문해설
Packaging다이를 보호하고 바깥과 연결하는 포장 단계. 미세화가 느려지면서 성능을 끌어올리는 새 무대가 됐다.
하이브리드 본딩고급해설
Hybrid Bonding범프 없이 구리 패드를 직접 붙여 다이를 잇는 방식. 간격을 줄여 대역폭과 두께를 함께 개선한다.