증착

웨이퍼 위에 얇은 막을 입히는 단계. CVD·PVD·ALD 로 나뉘고, 미세화가 진행될수록 ALD 비중이 커진다.

반도체 소자는 절연막, 도전막, 배리어막 등 서로 다른 성질의 얇은 막을 정확한 두께와 균일도로 쌓아 올려야 동작한다. 이를 위해 스퍼터링이나 증발원으로 물질을 물리적으로 날려 붙이는 PVD, 기체 반응물을 화학반응시켜 막을 형성하는 CVD, 표면 반응을 한 층씩 자기제한적으로 반복해 원자층 단위로 두께를 제어하는 ALD를 상황에 맞게 골라 쓴다. 현장에서는 구조물의 종횡비가 커질수록 문제가 두드러지는데, 깊고 좁은 홀이나 트렌치의 옆면과 바닥까지 막이 고르게 덮이는지를 나타내는 '스텝 커버리지'가 나쁘면 소자 특성이 무너지므로, 이런 구조에는 컨포멀리티가 뛰어난 ALD가 선호되고 평탄한 넓은 면에는 속도가 빠른 PVD나 CVD가 쓰인다. 공정 엔지니어들은 증착 장비의 성막 속도와 균일도, 후속 열처리에 견디는 열적 안정성을 함께 검토하며 장비와 레시피를 선정한다. ALD가 정밀하다고 해서 모든 막을 ALD로 대체하는 것은 아니라는 점도 흔히 오해되는 부분인데, 성막 속도가 느려 두꺼운 막을 쌓기에는 비효율적이라 여전히 PVD·CVD와 역할을 나누어 함께 쓰인다.