전공정

웨이퍼 위에 트랜지스터와 배선을 만드는 단계. 노광·식각·증착·평탄화를 수백 번 반복한다.

트랜지스터의 전기적 성능은 대부분 이 단계에서 결정되므로, 이후 배선을 쌓는 후공정과는 공정을 분리해 오염과 열 손상을 막는다. 웨이퍼에 불순물을 주입해 소스와 드레인을 만들고 게이트 산화막과 전극을 형성하며, 소자 간 간섭을 막는 소자분리 구조까지 형성한다. 이렇게 완성된 트랜지스터 구조 위에 후공정에서 금속 배선이 얹힌다. 수율 저하 원인을 추적할 때 결함이 전공정에서 생겼는지 후공정에서 생겼는지 구분하는 것이 진단의 첫 단계이며, 파운드리와의 공정 개발 논의나 채용 공고에서도 전공정과 후공정을 나누어 지칭하는 경우가 많다. 다만 전공정을 웨이퍼 제조의 앞부분으로 오해하기 쉬운데, 잉곳 성장이나 웨이퍼 절단 같은 웨이퍼 자체의 제조는 전공정보다 앞선 별도 단계이며, 전공정과 후공정을 가르는 기준은 시간 순서가 아니라 트랜지스터를 만드는가 배선을 만드는가라는 기능적 차이다.