인터포저

다이들을 촘촘히 잇기 위해 그 아래 까는 중간 기판. 실리콘으로 만들면 배선 밀도를 크게 올릴 수 있다.

인터포저가 필요한 이유는 다이 간 배선을 기판(PCB) 레벨에서 직접 처리하기엔 선폭과 간격이 너무 거칠어서다. HBM과 로직 다이를 나란히 붙이는 2.5D 패키지에서 두 다이를 잇는 배선이 기판 범프 피치보다 훨씬 촘촘해야 신호 무결성과 대역폭을 확보할 수 있는데, 이를 감당하려면 반도체 공정에 준하는 미세 배선층을 가진 별도 기판이 필요하다. 동작 방식은 인터포저 위에 다이들을 나란히 실장하고, 인터포저 내부의 재배선층(RDL)과 관통 비아(TSV)로 다이 간 신호와 전력을 전달한 뒤, 인터포저 하부의 범프로 패키지 기판과 연결하는 구조다. 실리콘 인터포저는 웨이퍼 공정으로 만들어 배선 밀도가 매우 높지만 크기와 비용 제약이 크고, 유기 재료나 RDL만으로 구성한 인터포저는 밀도는 낮아도 면적을 넓히기 쉬워 절충안으로 쓰인다. 현장에서는 고대역폭 메모리를 로직 다이와 함께 묶는 AI 가속기나 GPU 패키지를 설계할 때, TSV 수율과 인터포저 크기가 노광 장비의 노광 필드 한계에 걸리는지부터 점검하게 된다. 흔히 인터포저를 패키지 기판의 상위 버전 정도로 오해하지만, 실제로는 전력 전달이나 기계적 지지보다 초고밀도 신호 라우팅에 특화된 층이어서 전원 무결성 설계는 별도로 챙겨야 한다.