ChipBase한국어 반도체 데이터베이스
가격 19품목이력 36일째국내 기업 90곳
전체 용어공정소자메모리패키징설계
공정 · 중급

마스크

Photomask

해설 1분 읽기작성 → 자기 검증 2단계를 거쳐 코드 게이트를 통과했습니다

노광에 쓰는 회로 패턴 원판. 층마다 필요해서 노드가 미세해질수록 마스크 세트 비용이 급격히 오른다.

칩 하나는 수십 층의 회로 패턴이 쌓여 만들어지는데, 층마다 도전체·절연체·트랜지스터 구조가 달라 노광 때마다 다른 패턴 원판이 있어야 한다. 마스크는 석영 기판 위에 크롬 등으로 회로 형상을 새겨 만들고, 노광 장비가 여기에 빛을 통과시키거나(투과형) 반사시켜(EUV용 반사형) 렌즈로 축소한 뒤 웨이퍼 위 감광액에 그대로 투영한다. 이때 빛의 회절 때문에 마스크에 그려진 모양과 실제 웨이퍼에 찍히는 모양이 달라지므로 — 즉 마스크 패턴이 그대로 축소 복사되는 것이 아니므로 — 설계팀은 최종 패턴이 의도대로 나오도록 마스크 단계에서 형상을 미리 왜곡시켜 보정하는 작업(OPC)을 거치며, 이 때문에 마스크 상의 형상과 완성된 회로 형상이 눈에 띄게 다른 경우가 흔하다. 현장에서는 설계를 파운드리에 넘겨 테이프아웃할 때 마스크 세트 제작을 의뢰하고, 그 제작·검사에 걸리는 기간과 비용이 초기 개발 일정과 예산을 크게 좌우하는 항목으로 다뤄진다. 설계를 조금만 수정해도 해당 층의 마스크를 다시 떠야 하는 경우가 많아, 설계 검증 단계에서 오류를 최대한 걸러내는 이유이기도 하다.

공정 분야의 다른 용어

용어집 전체

ALD중급해설

Atomic Layer Deposition

원자층 단위로 막을 한 겹씩 쌓는 증착. 두께를 정밀하게 통제할 수 있어 GAA 구조에서 비중이 커졌다.

CMP중급해설

Chemical Mechanical Polishing

화학과 연마를 함께 써서 표면을 평탄하게 만드는 단계. 층을 쌓아 올리려면 매번 바닥이 평평해야 한다.

DUV중급해설

Deep Ultraviolet Lithography

EUV 이전 세대의 노광. 이머전(물에 담가 해상도를 높인) 방식과 멀티패터닝을 조합해 아직도 대부분의 층을 찍는다.

EUV중급해설

Extreme Ultraviolet Lithography

극자외선을 쓰는 노광 방식. 파장이 짧아 미세 패턴을 한 번에 그릴 수 있지만 장비를 만드는 곳이 사실상 한 곳뿐이라 공급이 곧 지정학이 된다.

High-NA EUV고급해설

High-NA EUV

렌즈의 개구수를 키운 차세대 EUV. 해상도를 더 올리는 대신 한 번에 찍는 면적이 줄어 설계·수율 양쪽에 새 제약을 만든다.

결함밀도고급해설

Defect Density

단위 면적당 치명 결함의 수. 다이 크기와 함께 수율을 결정하는 값이라 새 노드의 성숙도를 가늠하는 지표로 쓰인다.

공정 노드입문해설

Process Node

공정 세대를 부르는 이름. 지금의 "2nm" 같은 표기는 물리 치수가 아니라 마케팅 명칭이라 회사 간 직접 비교가 되지 않는다.

노광입문해설

Photolithography

빛으로 회로 패턴을 웨이퍼에 새기는 단계. 이 단계의 해상도가 곧 공정 미세화의 한계를 정한다.

다이입문해설

Die

웨이퍼 위에서 잘라낸 칩 하나. 다이가 클수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 개수가 줄고 결함에 걸릴 확률이 커진다.

멀티패터닝고급해설

Multi-patterning

한 층을 여러 번 나눠 찍어 더 촘촘한 패턴을 만드는 기법. 공정 단계가 늘어 원가와 변동이 함께 커진다.

수율입문해설

Yield

만든 것 중 쓸 수 있는 것의 비율. 공정 기술의 성패를 가르는 실질 지표이고, 새 노드의 원가는 사실상 수율이 결정한다.

식각입문해설

Etching

노광으로 그린 패턴을 따라 깎아내는 단계. 3D NAND 처럼 깊게 파는 구조에서는 이 단계가 난이도의 중심이 된다.

오버레이고급해설

Overlay

층과 층 사이의 정렬 오차. 미세화가 진행될수록 이 오차의 허용치가 줄어 계측 장비의 중요도가 올라간다.

웨이퍼입문해설

Wafer

반도체를 만드는 원판. 실리콘 잉곳을 얇게 잘라 거울처럼 다듬은 것으로, 이 한 장 위에 수백~수천 개의 칩이 함께 만들어진다.

전공정입문해설

FEOL / Front-end

웨이퍼 위에 트랜지스터와 배선을 만드는 단계. 노광·식각·증착·평탄화를 수백 번 반복한다.

증착입문해설

Deposition

웨이퍼 위에 얇은 막을 입히는 단계. CVD·PVD·ALD 로 나뉘고, 미세화가 진행될수록 ALD 비중이 커진다.

트랜지스터 밀도중급해설

Transistor Density

면적당 트랜지스터 수(MTr/mm²). 노드 이름보다 실질에 가깝지만 회사마다 세는 기준이 달라 그대로 비교하기는 어렵다.

팹입문해설

Fab

웨이퍼를 가공하는 공장. 청정도·진동·전력·초순수 요구가 극단적이라 부지 선정부터 제약이 크다.

포토레지스트중급해설

Photoresist

빛에 반응해 녹거나 굳는 감광액. 노광의 해상도를 실제로 구현하는 소재라 소수 업체가 공급을 쥐고 있다.